imec,著名纳电子学研究中心,以一个关键球员尖端半导体晶片的设计和制造的产品和服务,已经宣布了一项战略合作镓Nitride-on-Silicon (GaN-on-Si)技术。
正向和反向二极管电流在高温(150 & # 9702;C)。二极管有10毫米宽度阳极和阳极阴极距离10µm(来源:imec)
GaN技术有助于使更快的开关电源设备与较低的导通电阻和击穿电压高于硅。这使它复杂的电力电子元件的材料选择。合作建立在令人鼓舞的结果在一个最近的项目中,在imec与以生产氮化镓功率二极管使用其专有的架构和高压二极管epiwafers以。
以加入imec GaN-on-Si工业所属项目,参与联合研究和开发GaN-on-Si 200毫米外延和增强型设备技术与一些公司如IDMs,制程设计房子,材料和设备供应商,和包装公司。2020欧洲杯下注官网程序也包含在小说基质研究活动,提高外延层的质量,开发复杂的垂直设备和新的隔离模块改进集成水平。以,GaN-on-Si项目合作伙伴,获得先进的外延,设备和电力电子流程,其中包括imec的整个200毫米CMOS-compatible GaN过程线。
我们很高兴有机会来扩展我们的关系通过工业与imec所属项目。GaN Si电力设备的重要性不能被低估,尤其是当我们进入一个电的时代推动交通和提高能源有效的功率控制系统的要求,需要高电压和高功率功能。以证明记录的开发和生产基于氮化镓的epiwafers,加上imec的毫无疑问的声誉世界领先研究纳电子学使得一个强大的合作在这个快速增长的技术空间。
韦恩·约翰逊的电力业务单位,以
imec创建先进的氮化镓功率二极管与以其先前的合作项目。研究中心的专有封闭的边缘终止(得到)肖特基二极管设备架构一直是应用于以高压氮化镓的缓冲区超过200毫米硅基质。获取设备能够同时显示低开启电压和低泄漏电流对权力的二极管是主要的挑战。大(10毫米)氮化镓功率二极管产生的200毫米Si试点行imec表现出低起始电压和低泄漏电流高达650 V,多亏imec的二极管装置架构和以晶片的低缓冲漏电流。肖特基二极管进一步推进力量和反向规范整个完整的温度范围为25 - 150˚C的分布。
我们是兴奋与以战略伙伴关系。我们共同的结果表明,以epiwafers质量优秀,很好地结合满足规范对权力肖特基二极管。我们期待与以合作促进我们的有前景的结果,这表明我们的专有肖特基二极管装置架构和流程技术可以转移到外部晶片以提供的类似。我们的200毫米GaN-on-Si过程可用我们的项目合作伙伴,设计适合的伴侣特定产品的需求。
鲁迪Cartuyvels,执行副总裁,智能系统和能源技术,imec