2016年8月26日
SmartGan™DA8801提供GaN功率fet单片集成，以及模拟驱动器和逻辑，优化的、高效的650V半桥设计
对话半导体公司（XETRA：DLG)，提供高度集成的电源管理、AC/DC电源转换、固态照明（SSL）和蓝牙®该公司今天宣布并展示了其首个氮化镓(GaN)功率集成电路产品，该产品使用了台湾半导体制造公司(TSMCs)的650伏氮化镓-on- silicon工艺技术。
DA8801和Dialog的专利数字快速充电™ 与传统的基于硅场效应晶体管（FET）的设计相比，功率转换控制器将实现更高效、更小和更高的功率密度适配器。Dialog最初以其GaN解决方案瞄准快速充电智能手机和计算适配器市场，在这一市场上，Dialog的电源转换控制器已经占据了70%以上的市场份额。
“GaN晶体管的卓越性能使客户能够提供更高效、更紧凑的电源适配器设计，满足当今市场的需求，”Dialog半导体公司企业发展与战略高级副总裁Mark Tyndall表示。“继我们在基于bcd的电源管理ic (pmic)领域取得成功之后，作为早期的氮化镓创新者，Dialog再次引领一项新电源技术向高容量消费应用的商业化。”
氮化镓技术提供了世界上最快的晶体管，这是高频和超高效功率转换的核心。Dialog公司的DA8801半桥集成了建筑模块，如门驱动和电平转换电路，以及650V电源开关，提供了优化的解决方案，可减少高达50%的功率损耗，最高可达94%的功率效率。该产品允许氮化镓的无缝实现，避免了驱动离散氮化镓电源开关所需的复杂电路。
这项新技术使电力电子设备的体积减小了50%，使当今典型的45瓦适配器设计能够适应25瓦或更小的外形尺寸。这种尺寸的减小将为移动设备提供真正的通用充电器。
台积电欧洲总裁Maria Marced表示：“作为Dialog多年来电源管理IC的战略铸造合作伙伴，我们很高兴能够扩大我们的合作关系，密切合作，将我们的GaN工艺引入大容量应用的主流消费市场。”。“Dialog的第一款GaN产品实现了GaN的承诺，同时将集成提升到了一个更高的水平。”
DA8801将在2016年第四季度提供样品数量。有关DA8801的更多信息可在这里找到:http://www.dialog-semiconductor.com/products/DA8801