仙童发射SuperFET三世MOSFET家庭提供一流的效率和可靠性gydF4y2Ba

更好的效率,EMI和强度使SuperFET第三场效电晶体理想的高性能产品要求的鲁棒性和可靠性的要求。gydF4y2Ba

飞兆半导体公司,现在在半导体的一部分,今天推出了SuperFETgydF4y2Ba^®gydF4y2Ba第三家族的650 v n沟道mosfet,公司的新一代的场效应管,以满足更高的功率密度,系统效率和优越的可靠性需求的最新电信服务器,电动汽车(EV)充电器和太阳能产品。gydF4y2Ba

的gydF4y2BaSuperFET三世MOSFET的家庭gydF4y2Ba结合一流的可靠性、低EMI,优质的热力性能和效率使其高性能应用程序的理想选择。补充其性能特征,其广泛的方案选择给产品设计师更大的灵活性,特别是大小限制设计。gydF4y2Ba

不管他们的行业,我们的客户正在寻求效率,显著改善与每一代新产品性能和可靠性,也努力更快地向市场推出他们的新产品。除了设计我们的新SuperFET第三场效电晶体,帮助客户满足其关键产品的目标,我们确保了设备也将有助于降低BOM成本,缩小空间和简化产品设计。gydF4y2Ba

副总裁和总经理金赵仙童大功率的工业部门。gydF4y2Ba

SuperFET三世Rdson最低技术有什么简单的超级结MOSFET的驱动版本,提供一流的效率。达到这得益于先进的电荷平衡技术也使其SuperFET II前辈Rdson低于44%,在同一个包的大小。gydF4y2Ba

SuperFET三世的一个关键因素异常强度和可靠性是其最佳身体雪崩二极管和三次更好的单脉冲能量(EAS)性能比它最接近的竞争对手。gydF4y2Ba

较低的漏源极电压峰值期间关闭的650 v SuperFET三世提高系统可靠性在低温操作,因为自然击穿电压下降5%至-25℃结温度比室温和低温漏源极电压峰值变得更高。gydF4y2Ba

这些可靠性的优势尤为重要的工业应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电动车充电器必须能够持久的外部环境温度更高或更低。SuperFET III MOSFET家庭可用今天在多个包和参数选择:gydF4y2Ba

设备号gydF4y2Ba	RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba(max) (mΩ)@ vg = 10 vgydF4y2Ba	问gydF4y2BaggydF4y2Ba(Typ) (nC) @ vg = 10 vgydF4y2Ba	包gydF4y2Ba
FCH023N65S3L4gydF4y2Ba	23gydF4y2Ba	222年gydF4y2Ba	4 - 247 lgydF4y2Ba
FCH023N65S3gydF4y2Ba	23gydF4y2Ba	222年gydF4y2Ba	3 - 247 lgydF4y2Ba
FCH067N65S3gydF4y2Ba	67年gydF4y2Ba	78年gydF4y2Ba	3 - 247 lgydF4y2Ba
FCP067N65S3gydF4y2Ba	67年gydF4y2Ba	78年gydF4y2Ba	3 - 220 lgydF4y2Ba
FCPF067N65S3gydF4y2Ba	67年gydF4y2Ba	78年gydF4y2Ba	3 - 220 f lgydF4y2Ba
FCB070N65S3gydF4y2Ba	70年gydF4y2Ba	78年gydF4y2Ba	2 - 263 l (D2-PAK)gydF4y2Ba

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