牛津仪器通过蚀刻开发用于射频器件制造的SiC

作为广泛应用过程解决方案的领先供应商，牛津仪器很高兴地宣布，利用其高性能PlasmaPro100 Polaris蚀刻系统，通过等离子蚀刻工艺开发并推出了SiC。

碳化硅是一种越来越重要的材料，特别是在以碳化硅为基片的高性能氮化镓射频器件领域。平滑的通过SiC的蚀刻是实现这些设备的关键，牛津仪器已经开发出了高效蚀刻高质量SiC穿透的理想解决方案。

结合在相同硬件内的低损伤氮化镓蚀刻，PlasmaPro100 Polaris提供了基于氮化镓射频器件等离子蚀刻处理要求的独特能力。

开发的技术提供了几个工艺能力，适合通过应用SiC:

• 高SiC腐蚀速率，最大吞吐能力
• 光滑的侧壁无问题后蚀刻金属化
• 对底层氮化镓层的高选择性，在氮化镓器件层上提供平滑、低损伤停止
• 使用牛津仪器独特的专利静电钳技术夹紧蓝宝石载体，确保出色的样品温度控制和最大收率
• 通过先进的等离子体源技术在同一工具中刻蚀SiC和GaN的能力
• 长平均清洁时间(MTBC)提供高利用率

我们的应用专家花了大量时间在PlasmaPro100 Polaris蚀刻系统上开发这种SiC蚀刻工艺，具有高选择性和高通量等优点。这些优点将使我们的客户能够通过先进的等离子体源技术在同一工具中蚀刻SiC和GaN。

Mark Dineen博士，牛津仪器等离子体技术光电产品经理

牛津仪器提供世界领先的等离子处理系统，并提供超过6000种工艺配方的图书馆，所有这些都由全球支持和服务网络支持。

关于牛津仪器等离子体技术
牛津仪器等离子技术提供灵活、可配置的工艺工具和前沿工艺，用于精密、可控和可重复的微纳米结构工程。我们的系统为纳米尺寸特征的蚀刻、纳米层沉积和纳米结构的受控生长提供工艺解决方案。
这些解决方案基于等离子体增强沉积和蚀刻、离子束沉积和蚀刻、原子层沉积、深硅蚀刻和物理气相沉积的核心技术。产品范围从用于研发的紧凑独立系统，到批处理工具，以及用于高吞吐量生产处理的盒式到盒式集群平台。