位于意大利卡塔尼亚的微电子与微系统研究所（CNR-IMM（1））正在使用森泰克具有8英寸晶圆配置的SI PEALD LL工具。
该研究所隶属于意大利国家研究委员会（CNR）的物理和物质技术部（DSFTM），总部设在卡塔尼亚。利用SENTECH-PEALD工具研究了新型高k栅介质和钝化层在氮化镓等宽带隙半导体器件上的集成。
SENTECH专有的true remote CCP等离子源特别适用于低温和无损伤应用。等离子体源的特殊设计只允许自由基到达晶圆表面。高能光子和离子被完全阻挡。
背景方面，IMM和SENTECH签署了一份联合开发协议，旨在开发和表征层压板。
使用替代的高k材料有利于缩小器件的尺寸，同时保持其电容值不变欧洲杯足球竞彩并降低漏电流密度。尤其是，Al2O3-HfO2层压层的生长是此类应用中最常用的组合之一。
SENTECH-SI-PEALD-LL反应器是一个高性能和灵活的系统，允许生产几种高质量的介电薄膜，其物理性能可以根据化学成分的变化进行调整。这种活性的可能应用不仅与新型栅介质和钝化层在宽带隙半导体上的集成有关，而且也与基于石墨烯的射频器件有关。
Raffaella Lo Nigrom博士，负责SI PEALD LL工具和与SENTECH合作的科学家
罗尼格罗博士在通过化学气相沉积方法合成二元和复杂薄膜方面拥有广泛的专业知识，可用于多种微电子应用
这项工作的结果已经发表在科学论文中（2）。采用等离子体增强原子层沉积法在硅衬底上制备了Al2O3-HfO2和Al2O3/HfO2双层薄膜。
分析了低温沉积和高温热处理后镀层的形貌、结晶和电学性能。
利用SENTECH-PEALD高稳定性地沉积单层膜和多层膜，以及在整个晶圆尺寸上沉积过程的非常好的均匀性，是设计新的高k电介质等应用的必要前提。
SENTECH非常自豪，我们创新的PEALD解决方案正在帮助卡塔尼亚的CNR-IMM团队改进其研究活动。
我们期待着今后加深这种伙伴关系。我们的高效ALD技术将进一步征服欧洲市场，这是非常方便的。如果您对SENTECH PEALD technologies感兴趣，请联系我们。
（1） 国家研究委员会-微电子和微系统研究所
（2） Raffaella Lo Nigro，Emanuela Schilirò，Giuseppe Greco，Patrick Fiorenza，Fabrizio Roccaforte，《固体薄膜》，601，2016，68-72
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