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使用拉曼计量学的新改进的二维MOS2制造过程

等离子体技术的科学家研究了沉积二维二维层(2D)层的过程(MOS2)使用拉曼光谱法证明质量控制。

在一个发表论文在IOP物理学杂志D:应用物理学杂志中,我们深入研究使用缺陷激活的拉曼签名,以研究各种过程参数的影响以及提高膜质量。我们还证明了MOS的原子层蚀刻过程2不会在基础层中引起缺陷。

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    牛津仪器等离子技术。(2017年5月1日)。使用拉曼计量学的新的改进了二维MOS2制造的过程。azom。于2022年9月23日从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=47554检索。

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    牛津仪器等离子技术。“使用拉曼计量学改进了二维MOS2制造的新过程”。azom。2022年9月23日。

  • 芝加哥

    牛津仪器等离子技术。“使用拉曼计量学改进了二维MOS2制造的新过程”。azom。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=47554。(2022年9月23日访问)。

  • 哈佛大学

    牛津仪器等离子技术。2017。使用拉曼计量学的新改进的二维MOS2制造过程。Azom,2022年9月23日,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=47554。

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