2006年1月25
日立化学有限公司。取得一个基本专利的CMP泥浆基于自激氧化铈粒子。欧洲杯猜球平台制造半导体器件时,泥浆允许晶片上的不必要的硅氧化层打磨掉在高速率的最小划痕在化学物质平面化(CMP)的过程。
CMP过程晶片抛光和平滑的凹凸不平的表面(氧化硅层,层间绝缘薄膜,金属布线层,等等)半导体设备隔离或布线过程中生成。CMP浆料是一种抛光溶液用于该应用程序。特别是申请抛光氧化硅层,CMP泥浆基于二氧化硅粒子或氧化铈粒子还没有非常成功的在满足高迁移率和一些划痕。欧洲杯猜球平台作为抛光划痕引起的CMP泥浆导致次品,关键开发CMP泥浆,用更少的划痕允许更快的去除率提高生产率和可靠性在制造半导体器件高速和仅电路。
通过应用其陶瓷制造技术基于多年的经验,日立化成成功地开发CMP泥浆组成的自激氧化铈抛光粒子,它允许高迁移率最低的划痕。欧洲杯猜球平台氧化铈粒子CMP浆料的晶粒边欧洲杯猜球平台界。他们在抛光压力下瓦解和提供新激活的表面准备与硅氧化层发生化学反应。CMP浆料基于这种类型的氧化铈粒子可以保持抛光划痕降到最低,同时增加去除率。欧洲杯猜球平台
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