本征半导体的许可证密钥碳化硅(SiC)晶片抛光过程

本征半导体私营制造商的宽禁带材料和设备,已签署了一份许可协议为一个先进的化学机械抛光(ACMP)过程创建在欧洲杯足球竞彩宾夕法尼亚州立大学光电技术中心与研究基金提供的国防高级研究计划局(DARPA)。中心的结果被发表在国际会议上碳化硅及相关材料(ICSCRM), 2005年9月18 - 23。欧洲杯足球竞彩

碳化硅有固有的优越特点在大功率硅等半导体材料,高频、高温应用。欧洲杯足球竞彩然而,micropipe缺陷——孔隙渗透碳化硅材料是发展,一直是一个主要贡献者SiC的低收益率和相关的高成本。内在的micropipe-free材料,这是通过使用公司的商业生产设备,代表了一个主要的行业里程碑对碳化硅的商业化。2020欧洲杯下注官网

任何半导体抛光过程的目标是创建表面条件适合随后的流程步骤,包括高质量外延生长设备结构。ACMP过程消除相关的选择性去除材料周围现有的划痕和缺陷。作为一个直接结果,这种抛光过程已被证明为外延设备创建自动平面层相比具有优越的性能获得通过先进的流程。

“我们的衬底表面的基础前沿研究世界各地以及明天的产品领先企业,“伊特他博士说,内在的总裁兼首席执行官。“每个生产步骤的叶子化学和物理遗留下,和当前波兰流程导致微分波兰率和不均匀性。上级减少选择性通过宾夕法尼亚州立大学意味着所有这些地区都是平面型更均匀,表面与效益以及地下。对内在的客户,这意味着更好的基质和epi产品,更大的生产能力在我们的工厂,并反映了我们深远的对质量的承诺。”

“宾夕法尼亚州立大学是高兴地执行这个许可协议和内在期待帮助的商业部署技术”理查德•韦报道宾夕法尼亚州立大学高级技术许可的知识产权办公室。“这个许可证是一个很好的例子,军民两用技术可以转移到商业领域。”

在碳化硅在电动汽车的应用程序通信,免受伤害的越来越大的需求领域,micropipe-free房地产将飙升。再加上今天的声明,内在最近宣布零MicroPipe™(ZMP™)材料和100毫米的生产目前的50 mm(那)和75毫米(3)基质组积极的行业标准以及客户要求需要灯塔。

内在生产绝缘和碳化硅晶片,碳化硅和氮化镓(GaN)外延产品在50毫米和75毫米直径,并将扩大所有产品多样化的100毫米。此外,该公司目前正在开发ZMP™为100毫米的产品生产。

http://www.intrinsicsemi.com

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