2017年9月11日
研究人员从一队新加坡国立大学（NUS）已二维二硫化钼（MOS的性质证明新发现2），未来的广泛研究半导体。
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新加坡国立大学科学系物理系的Andrew Wee教授和助理教授Andrivo Rusydi指导了两项独立的研究，研究人员发现了氧在MoS中的作用欧洲杯线上买球2和一种新颖的方法，以创建多个可调谐的，在该材料倒置光学带隙。这种新颖的敏锐扩展的MoS的固有性质的理解2这可能会彻底改变它在半导体领域的应用。
该研究结果发表在著名科学期刊分别物理评论快报与自然沟通。
金属氧化物半导体2- 石墨烯的另一种
金属氧化物半导体2是半导体类材料，其中显示为取悦光电检测器，晶体管和太阳能电池的开发和改进的光学和电子特性。
金属氧化物半导体2具有巨大的工业重要性。具有原子级薄的二维结构和的1.8eV的能带隙的存在下，硫化钼2是半导体，可以比石墨烯缺少的带隙提供更广泛的应用。
安德鲁凌晨教授，物理系，科学系新加坡国立大学欧洲杯线上买球
氧涂改的存在的MoS的电子和光学性质2
由新加坡国立大学的研究人员首先研究结果发表在物理评论快报16TH.2017年8月，其中进行了深入的分析表明，该能量存储容量或硫化钼的介电函数2可以用氧来修饰。
该小组发现，硫化钼2当暴露于氧显示出更高的电介质函数。这种新的知识透露了吸附和释放氧的解吸硫化钼2可用于改变其光学和电子特性，以匹配各种应用。这项研究还强调了充分考虑，可能在今后的研究影响材料的性质外在因素的必要性。
这篇论文的第一作者是新加坡国立大学理学院物理系的Pranjal Kumar Gogoi博士。欧洲杯线上买球
金属氧化物半导体2可以具有两个可调谐光学带隙
在7发布的第二项研究TH.在2017年9月的《自然通讯》杂志上，新加坡国立大学的研究小组发现，与通常只有一个光学带隙的传统半导体不同，MoS的电子掺杂2在金上可以在材料中出现两种不同寻常的光学带隙。进一步分析了金属氧化物半导体的两个光学带隙2是通过一个简单的，不复杂的退火工艺可调谐的。
该研究小组还发现，该可调谐光学带隙是由强充电晶格耦合归因于电子的掺杂诱导。
第二篇论文的第一作者是新加坡国立大学理学院物理系的尹鑫茂博士。欧洲杯线上买球
这两项研究的结果为其他具有类似结构的材料提供了思路欧洲杯足球竞彩2。
金属氧化物半导体2属于一类二维过渡金属双卤族化合物(2D-TMDs)材料，由于其潜在的工业应用而具有很大的研究兴趣。从我们的研究中获得的新知识将帮助我们开启基于2d - tmd的应用的可能性，例如制造基于2d - tmd的场效应晶体管。
新加坡国立大学理学院物理系助理教授Andrivo Rusydi欧洲杯线上买球
为了充分利用这些发现，该团队将把类似的研究应用于其他2d - tmd，并寻找在2d - tmd中产生新的、有价值的性质的不同可能性，而这些性质在自然界中并不存在。