EV组(EVG), a leading supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, nanotechnology and semiconductor markets, and Leti, an institute of CEA Tech, today announced the world’s first successful 300-mm wafer-to-wafer direct hybrid bonding with pitch dimension connections as small as 1µm (micron). This breakthrough also achieved copper pads as small as 500nm.
使用EVG的完全自动化的双子座，在莱蒂的洁净室中证明了铜/氧化物混合键合工艺，这是3D高密度IC应用的关键推动器®FB XT融合晶圆粘结系统。该结果是在莱蒂（Leti）领导的IRT纳米电气（IRT Nanoelec）框架中获得的。EVG于2016年2月加入了该研究所的3D整合财团。
晶圆键合3D设备堆叠的启用过程
半导体设备的垂直堆叠已成为越来越可行的方法，可以持续改进设备密度和性能。晶圆到磁力键合是启用3D堆叠设备的重要过程步骤。但是，需要晶圆之间的紧密对准和覆盖精度，以在粘合晶片上的互连设备之间实现良好的电气接触，并最大程度地减少键接口处的互连区域生产设备。支持组件路线图所需的音高的持续减少是为每次新产品的加油加油到更严格的晶圆粘结规格。
演示结果
在leti示范中，顶部和底部的300毫米晶片直接在双子座FB XT自动生产融合键合系统中粘合，该系统结合了EVG专有的SmartView®NT面对面对准器和对齐验证模块，以实现原位键入IR对准测量。该系统达到了整体195nm（3-sigma）的覆盖对准精度，平均比对结果良好地以低于15nm为中心。烘烤后显微镜扫描全300毫米键合晶片堆和特定模具证实了且最佳铜密度范围从1μm到4µm的螺距的无缺陷粘结界面。
据我们所知，这是首次报道的表现低于1.5µm的螺距铜混合粘合性可行性，该最新演示代表了实现高密度3D芯片堆叠的实现和最终商业化的真正突破和重要的一步。
莱蒂（Leti）的粘合过程工程负责人弗兰克·富纳尔（Frank Fournel）。
在2017年IEEE S3S会议上介绍的莱蒂（Leti）的一篇论文中总结了该演示。
3D集成具有增加设备密度和带宽的希望以及各种应用的功耗降低，从下一代CMOS图像传感器和MEMS到高性能计算，作为3D整合研究和开发的领导者，Leti具有在将这项关键技术转向行业采用和商业化方面处于最前沿。EVG分享了这一愿景，我们很高兴在支持Leti在3D集成中的最新成就方面发挥了作用。
EV Group公司技术发展和IP总监Markus Wimplinger。
Gemini FB XT自动生产融合键合系统利用EVG的高通量XT框架平台和设备前端模块（EFEM），可用于超高的吞2020欧洲杯下注官网吐量和生产率。集成到系统中的SmartView NT对齐器可提供行业领先的晶圆到磁力叠加层对准精度（Sub-200nm，3-Sigma）。此外，双子座FB XT最多可容纳六个预处理和后处理模块，用于表面制备，调理和计量步骤，例如晶圆清洁，等离子体激活对准验证，拆卸（允许预键的晶片）自动分离，并自动分离，并进行重新分离，并进行恢复和恢复- 必要时进行处理）和热压缩键。
EVG将在11月14日至17日在德国慕尼黑的MesseMünchen举行的Semicon Europa展览会上展示双子座FB XT。邀请有兴趣了解有关该产品的更多有关该产品的参与者，以及EVG的完整晶圆粘结和光刻解决方案套件，邀请参观公司的展位
＃B1-1424。