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EV集团与NSI合作,首次实现晶圆级GaAs在硅上的异质集成,用于射频前端模块制造

eV集团(evg)是一家薄晶焊接和光刻设备的领先供应商,今天宣布它与宁波半导体国际公司(NSI)合作,这是一家位于中国宁波的专业半导体铸2020欧洲杯下注官网造厂,在行业的第一工艺技术的发展中用于硅(GaAs)在硅中使用的晶圆级异质整合的平台,用于RF前端模块(FEM)制造。这标志着4G和5G智能手机和其他手机所需的下一代,高性能,超紧凑的RF前端芯片组的重要里程碑。

作为这一战略协作努力的一部分,EVG为NSI提供了其行业领先的临时键合/剥离(TB / DB),永久粘接,面膜对准光刻和相关的特殊计量设备和工艺专业知识,其中NSI与其专有的微量2020欧洲杯下注官网晶圆级系统集成(UWLSI®)技术平台,为领先的RF前端设备和系统解决方案提供商生产创新的RF FEM产品。NSI是半导体制造国际公司(SMIC)的合资子公司,中国IC投资基金,宁波经济开发区工业投资公司,Ltd。和其他IC投资基金。

NSI专有的微晶片级系统集成(uWLSI®)技术。

NSI首席执行官Herb Huang博士表示:“高性能、超紧凑的射频前端微系统组件对5G无线终端的成功至关重要。为支持客户及其下一代无线终端射频前端模块产品满足低插损、高能效、超小型化等严格要求,有必要提供更先进的晶片级多晶片异构集成工艺解决方案,以支持和帮助客户满足产品标准,并快速批量生产。我们很高兴能够利用EV集团领先的晶圆键合技术、光刻技术和异构集成专业知识,以促进制造的成功。”

5G所需的晶圆级异构集成

射频有限元包括功率放大器、天线开关和滤波器等关键部件。高密度三维非均匀集成不同性质的材料,如砷化镓和硅,有效地提高了射频有限元的增益、线性和功率性能。欧洲杯足球竞彩然而,与此同时,向5G宽带无线技术的迁移正在推动对更宽的多频带pa和更多射频滤波器的需求,这反过来可能会推高整体芯片组包的成本和占用空间。在晶圆级实现异构系统集成提供了一种成本效益高的方法,以最小的增量实现更大的芯片组密度。

“5G为射频前端行业提供了巨大的机会,”CédricMalaquin,技术和市场分析师,RF设备和技术,在市场研究和战略咨询公司艾尔·塞弗洛塞(艾尔)。“5G将完全重新定义网络与调制解调器之间的相互作用。实际上,新的RF频段,Sub-6 GHz和MM波对该行业构成了大量挑战。”根据艾尔,移动手机RF前端市场,以及WiFi连接部门,预计将在2023年达到352亿美元,以14%(1)。

uWLSI®是一种由NSI开发的独特晶圆制造工艺的中线端技术平台,用于实现异构多模对晶圆系统集成和晶圆级系统测试,同时消除了典型的系统封装实践中碰撞和倒装工艺的需要。NSI开发了uWLSI®技术平台,通过更多的晶圆级制造加工,专门解决各种芯片组和微系统的高密度异构系统集成需求的激增。

EVG的临时粘合/剥离系统如IQ对齐器®NT,在使复合半导体与硅器件中的异质集成在更加摩尔方法中起作用的关键作用。

EVG的TB / DB系统在使复合半导体与硅器件中的异质集成在更摩尔的方法中起作用的关键作用。例如,TB / DB有助于非常薄的化合物半导体,硅和模具晶片的可靠转移和处理,其可以集成到更高密度的垂直封装中。同样地,EVG的掩模对准系统通过使载体安装和翘曲的基板的光刻图案化支持晶片级异构集成,这对于UWLSI®工艺至关重要。

电动汽车集团中国总经理Swen Zhu表示:“NSI在下一代无线和电信技术(如5G)专用半导体的开发方面处于领先地位。“EVG很高兴NSI再次委托我们与他们合作,支持他们的先进制造工作——这一次是他们在RF FEM平台上的突破性开发。我们在晶圆键合和光刻工艺解决方案方面建立的技术和市场领导者的专业知识,将在我们与这家领先的代工公司的合作中发挥重要作用。”

EVG将于本周(3月20日至22日)在上海国际博览会上,在中国半导体行业的领先展会SEMICON China上展示其最新的晶圆键合和光刻解决方案,用于异构集成和其他应用。有兴趣了解更多内容的与会者可以前往N2展厅2547号展位。

(1)资料来源:5G对射频前端模块的影响和对手机报告的连接,艾尔·塞弗洛塞特,2018年

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    ev组。(2019年3月21日)。EV集团与NSI合作伙伴,为RF前端模块制造的硅进行GaAs的第一个晶圆级异构集成。Azom。从Https://www.wireless-io.com/news.aspx?newsid = 50776从//www.wireless-io.com/101。

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    ev组。“eV团体与NSI合作伙伴,使GaAs的第一晶片级异构集成在硅的RF前端模块制造中”。AZoM。201年8月201日。

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    ev组。“eV团体与NSI合作伙伴,使GaAs的第一晶片级异构集成在硅的RF前端模块制造中”。Azom。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid = 50776。(访问8月1日,2021年)。

  • 哈佛

    ev组。2019年。EV集团与NSI合作,首次实现晶圆级GaAs在硅上的异质集成,用于射频前端模块制造。Azom,查看了01年8月2021,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid = 50776。

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