A*STAR和Soitec启动联合项目,开发先进封装的新层转移工艺

科学、技术和研究机构(A*ST欧洲杯线上买球AR)的微电子研究所(IME)和Soitec(巴黎泛欧交易所),一家设计和制造创新半导体材料的世界领导者,宣布启动一项联合计划,在先进的晶圆级多芯片封装技术中开发和集成新的层转移工艺。基于IME的扇出晶圆级封装(FOWLP)和2.5D透硅插入器(TSI)技术与Soitec的智能切割技术的结合™ 技术,新的成本竞争力的过程提供了更高的性能,能源效率和提高产品产欧洲杯足球竞彩量。

先进的封装在当今许多用于服务器、高端移动、工业和汽车应用的片上系统(SOC)中使用,并涉及将半导体芯片组合到封装中以降低成本、提高功率效率和提供高效散热的各种方法。到2022年,高级封装市场预计将有三倍至两百万晶圆用于中高端应用。当今芯片越来越复杂,越来越多的更小的晶体管和电路需要高I/O计数,这推动了先进封装工艺界的合作创新,重点是确定成本效益高的制造解决方案,并增加数据带宽以支持手持设备,云计算和边缘计算应用。

高级封装的标准工艺之一是使用全硅晶片进行层转移工艺,成本高达3美分/毫米2..Soitec将在未来三年与IME合作,评估其Smart Cut™技术在IME的先进封装平台FOWLP和2.5D TSI上的使用,目的是集成新的层转移过程,作为未来几代封装技术的关键步骤。这种新工艺旨在通过消除对整个硅片的消耗来提高性能、降低功耗和降低生产成本。IME还将进行测试,以评估新开发过程的可靠性和稳健性,这将有助于Soitec确定其长期可行性。

聪明的切割TM该技术利用光离子注入和晶片键合来定义和转移超薄单晶层从一个衬底到另一个衬底。它的工作原理就像原子手术刀,允许活动层独立于支持的机械基板进行管理。其主要优点包括利用低温键合和裂解技术制造出多层纳米级的几乎无缺陷硅层。然后这些层被放置在有源晶体管电路的顶部。通过调节注入能和工艺工程,可以高精度地确定转移层的厚度。然后使用蚀刻和沉积工艺来完成晶体管。此外,施主衬底可以重复使用多次,因为在每层转移操作后,硅片表面都要重新抛光,衬底可以重复使用。

作为领先的研究机构,IME汇集了全球半导体供应链,包括无晶圆厂公司、铸造厂、OSAT、EDA供应商、设备制造商和材料开发商,以展示针对移动、数据中心、高性能计算、5G、物联网和汽车应用的先进封装解决方案。通过与Soitec的合作,IME将提供架构定义、建模、设计、过程集成、可靠性评估和故障分析方面的高级封装2020欧洲杯下注官网专业知识。IME将在其全功能、最先进欧洲杯足球竞彩的300毫米晶圆级封装、2.5D/3DIC试验线中执行高级封装开发。IME在advanced FOWLP和2.5D TSI中的端到端流程能力和技术诀窍将缩短开发周期,并使用Smart Cut演示经济高效的封装解决方案TM技术。在联合项目期间,Soitec将在其新加坡Pasir Ris制造工厂的洁净室中贡献大量的工具时间、研发人员和专用空间。

“先进封装继续是高价值半导体市场的亮点。我们很高兴能与Soitec合作开发包装解决方案,促进这一高潜力领域在新加坡和全球的蓬勃发展。”IME执行董事Dim Lee Kwong教授说。

Soitec和IME相信Smart Cut™技术将带来突破性成果,彻底改变2.5D/3D层转移工艺流程。Soitec首席技术官Christophe Maleville说。“这一战略合作不仅将形成一种新的智能切割™ 应用服务于新一代先进封装,同时也为Soitec开辟了一个超越传统工程基板制造的全新市场。”

资料来源:https://www.soitec.com/en

引证

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    Soitec。(2019年3月27日)。A*STAR和Soitec启动联合计划,为先进包装开发新的层转移工艺。AZoM。于2021年11月15日从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=50840检索。

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    Soitec。“A*STAR和Soitec启动联合项目,为先进包装开发新的层转移工艺”。AZoM.2021年11月15日。< //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=50840 >。

  • 芝加哥

    索伊特克。“A*STAR和Soitec启动联合项目,开发先进包装的新层转移工艺”。亚速姆。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=50840. (查阅日期:2021年11月15日)。

  • 哈佛大学

    索伊特克。2019A*STAR和Soitec启动联合项目,开发先进封装的新层转移工艺. 亚速姆,2021年11月15日查看,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=50840.

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