Photodoping在二维材料制造欧洲杯足球竞彩的逻辑设备

新加坡国立大学科学家发现了一种方法,光诱导电子掺杂钼ditelluride(微粒₂为制造下一代逻辑设备)异质结构。

二维(2 d)过渡金属dichalcogenides (tmd)承诺的构建块下一代电子器件的发展。这些材料是自欧洲杯足球竞彩动薄,表现出独特的电学性质。研究人员有兴趣开发n型和p型场效应晶体管(FET)使用2 d tmd对建筑基本逻辑电路组件。这些组件包括pn结和逆变器。

陈伟教授领导的研究小组从化学和物理学系,新加坡国立大学发现,光照明可以用来诱导掺杂对尘粒的影响₂基于场效应晶体管在非易失性修改其电气性能和可逆的方式。场效应晶体管的尘埃₂/ BN异质结构是通过分层制作的薄片状的尘埃₂在氮化硼(BN)层和附加金属接触形成了设备。设备的掺杂可以改变通过修改应用极性光照明条件下BN层。当照明设备,电子占据donor-like州BN隙变得兴奋和跳转到传导带。通过应用负偏压BN层,这些photon-excited电子旅行到尘埃₂层,有效地掺杂进一个n型半导体。留下的正电荷的BN层创建一个正偏压有助于保持电子掺杂在尘埃₂层。研究小组发现,没有任何外部干扰,photodoping效应可以保留超过14天。

团队开发了pn结和逆变器不使用光致抗蚀剂的选择性控制photodoping MoTe地区₂材料。从他们的实验测量,尘埃₂二极管有near-unity理想因子约为1.13,接近于理想的pn结。

解释这些发现的意义,陈教授说,“发现的2 d heterostructure-based photodoping效应提供了一个潜在的方法来制造photoresist-free pn结和逆变器的发展逻辑电子设备。”

来源:http://www.欧洲杯线上买球science.nus.edu.sg/