2019年6月20
将CSEM的超低功耗ASIC设计经验与MIFS的超低功耗(ELP) DDC技术相结合,可以创造新的功耗世界纪录。一个完整的工艺设计工具包,连同一系列混合信号硅ip,现在是可用的。
物联网和可穿戴技术的惊人增长,加上边缘处理技术,对低功耗电子产品提出了越来越高的要求。智能灰尘和不显眼的可穿戴设备需要微型电池,甚至需要自供电,从周围环境中获取能量。
0.5 v设计生态系统
超低功耗ASIC设计的领导者CSEM和领先的晶圆代工企业Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS)联手开发了近门槛的0.5V生态系统;由于能量的大小与电源电压的平方成正比,因此在相同的性能下,可以实现能耗的大幅降低。MIFS的深度耗尽通道(DDC)技术非常适合于低功耗应用,同时它对随机掺杂波动的免疫能力使其适合于低电压工作。然而,低压操作仍受工艺、温度和其他变化的影响。为了克服这些变化带来的影响,CSEM和MIFS应用了多种设计技术,并实现了基于体偏的自适应动态频率缩放(ADVbbFS)作为关键ip之一。
一个32位RISC微控制器在C55DDC中设计,最近在德克萨斯州奥斯汀的IEEE CICC上展示,仅显示2.5uW/ mhz,这是55nm CMOS工艺中的一个新的世界纪录。
MIFS高级副总裁Yoshie Keizaburo“CSEM的ULP设计经验与MIFS的DDC工艺技术相结合,有助于实现在能效方面无与伦比的物联网芯片设计。”CSEM的集成与无线系统副总裁Alain-Serge Porret说,“低压设计对于下一代物联网设备至关重要;我们很高兴能与MIFS合作,让这个梦想成为现实。”
为设计集成做好准备
现在有一个完整的设计生态系统,包括一个带有所有库和关键模拟IP块的过程设计工具包(PDK)。
您可以在6月26日至27日在圣何塞举行的传感器博览会上见到CSEM和MIFS,物联网和无线馆,展位#1045。
来源:http://www.csem.ch