牛津仪器等离子体技术（OIPT）今天推出了革命性的等离子体原子层沉积（ALD）高量制造（HVM）解决方案，提供了解决GAN Power Device行业基本挑战所需的步骤更改。
氮化炮设备正在实现下一代高效的电源电子设备，用于紧凑的消费电源，5G网络，电动汽车和可再生能源转换。
与当前技术相比，GAN设备更高效，性能更高，但是有制造产量和可伸缩性挑战。需要解决这些问题，以便以有竞争力的成本提供可靠的设备。
关键挑战之一是始终如一的高质量门钝化，AtomFab提供了具有高吞吐量和低成本（COO）的解决方案（COO）。
- 表现：出色的钝化和介电特性使苛刻的设备性能对于关键应用程序至关重要。
- 等离子体：远程等离子体提供可重现的GAN接口。ATOMFAB精确控制血浆以保护基础敏感的GAN底物。
- 步伐：高吞吐量由高级高级运行时HVM平台上的高沉积速率过程提供的高通量，专门为GAN Power应用开发。
AtomFab提供的每晶片的成本大大降低了，包括众多技术创新，包括悬而未决的革命性快速远程等离子体来源。
AtomFab通过半标准群集配置在单个晶圆平台上满足客户需求，并改进了最新复合半导体解决方案的过程控件。
AtomFab为我们的GAN设备制造客户提供了许多关键的好处，包括大幅度的COO降低，增加产量和出色的电影质量和设备性能。多年来，牛津仪器等离子技术被称为“复合半导体等离子体溶液的供应商”。我们将知识利用到HVM平台上，以确保每天全天生产最佳设备。
OIPT战略业务发展总监Klaas Wisniewski。
我们的独特等离子体ALD解决方案受到了极大的称赞，并听取了我们的HVM客户将这些解决方案提升到一个新的水平。我们很高兴地宣布，AtomFab为客户提供了这些HVM解决方案。
OIPT董事总经理Mike Gansser-Potts
有关ATOMFAB的更多信息，请访问plasma.oxinst.com/atomfab