本周，在其技术论坛ITF USA 2019中，IMEC是纳米电子和数字技术领域的世界领先研究和创新中心，介绍了与制造3NM逻辑技术节点相关的双山脉螺距测试车。
使用该测试工具，与前几代相比，获得了30％的抵抗力产品（RC），而没有影响可靠性。已经证明了在3NM和超越互连技术中实施缩放助推器的需求，例如自我对准的VIA和自我对准块。
通过21nm金属螺距的链条测量100链的电阻表现出与仿真（左）和RU线和VIA（右）的元素映射（右）的极好的一致性（右）
尽管传统前端技术的尺寸缩放预计会放慢速度，但后端尺寸持续扩展，以〜0.7倍的比例扩展，以跟上所需的区域缩放。对于3NM逻辑技术节点，M2互连层的金属螺距与21nm一样紧，在保留后端的性能的同时，需要制造21nm。这意味着对RC延迟的严格控制，同时保持良好的可靠性。
IMEC首次展示了与3NM技术节点相关的双胺21nm金属螺距测试车。与前几代相比，测得的RC显示出30％的改善。测试车在可靠性方面的性能也很好：在330°C下530小时后未观察到电气迁移故障，并且介电击穿（TDDB）测量结果显示出在100°C下的时间> 10年> 10年。
为了模拟M2层，提出了一种杂交光刻方法，使用基于193nm沉浸式的自我对准四极图案（SAQP）来打印线条和沟渠，以及极端的紫外线光刻（EUVL），用于打印块和通过结构。测试车辆实施了无屏障唯一（RU）金属化方案和具有介电常数K = 3.0的绝缘体。
首先结果还表明，可以通过添加缩放助推器，包括埋藏的功率导轨，超级块，自我对准块，完全自我对准的VIA和双重自我对准块来改进所提出的互连技术。
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