transhorm公司是设计和制造高可靠性高压氮化镓(GaN)半导体的领先者，今天宣布了其首个第三代PQFN88晶体管。新的650v器件有两个版本，TP65H070LSG(源标签)和TP65H070LDG(漏标签)，并提供72毫欧姆的导通电阻。
增强第三代平台的可靠性
transhorm公司的第III代器件于2018年6月推出，是目前市场上质量最高、可靠性最高的[Q+R] GaN fet。他们将定制设计的低压MOSFET与GaN FET配对，提供:
- 安静的切换
- 更高的性能在增加的电流水平与最小的外部电路
- 抗噪性提高(4v阈值电压)
- 增加门的稳健性(在+/- 20 V)
第三代漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚，以提高板级可靠性(BLR)，这增加了多层印刷电路板(PCB)设计的可靠性。提供的排放和源选项卡配置也可容纳高侧和低侧开关位置。这提供了增加的辐射抗扰度，因为大垫焊接到非交换节点。此外，将PQFN88设备添加到现有的第三代to - xxx fet列表中，让工程师有机会利用Transphorm的最新技术探索gan驱动表面贴装应用。
“我们将继续致力于提高GaN FET的可靠性，同时提供更高的功率密度，”Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk说。“随着市场对高压氮化镓技术的兴趣持续增长，我们的目标是为客户提供适合每种潜在应用的设备选项。为了实现这一目标，我们引入了72毫欧姆源极和漏极PQFN88器件，使我们能够满足目前产品系列的所有三个目标。”
高压氮化镓电力电子产品的采用率呈上升趋势。事实上，Transphorm已经宣布了几个客户，他们拥有不同的终端产品(例如:服务器和工业电源供应，游戏PC供应，便携式太阳能发电机，等等)，展示了这项技术的价值主张。
来源:https://www.transphormusa.com/en/