2006年4月13日
更小、更轻、更紧凑的设备可以做越来越多的工作更快,处理更多的数据里的需求正推动传统半导体技术对抗其局限性。在未来,塑料会接管。许多聚合物电子元件均已完成。新加坡国立大学的研究人员,已经成功地在新加坡微电子研究所生产的DRAM存储基于塑料。
新加坡团队最近还使得闪存(可擦写存储器)和写一次read-many-times基于聚合物(蠕虫)内存。现在他们有了另一种类型的内存,动态随机存取记忆体(DRAM),基于聚合物。在这个“短期”或“动态”记忆,电子设备临时存储所有processes-storage单位更新,刷新电压脉冲。
与半导体芯片,它的“跟踪”数据的形式电荷,“0”和“1”信号在聚合物的记忆存储和低导电率高,分别。科学家制造了一种特殊的共聚物,塑料的分子长链是由两个不同的组件,能很好地适应彼此。这种聚合物是嵌入式作为两个电极之间的薄膜。聚合物是最初在关闭状态,特点是低的电导率。一个障碍阻碍了电子的流动通过这部电影。以“写”的记忆,一个低电压超过一定阈值(-2.8 V)足以开关共聚物为高导电状态,在状态。记忆是“读”的脉冲电压低于阈值。这背后的秘密装置的组合屏障和电荷载体的“深坑陷阱”。如果首先克服障碍高于阈值,在坑里充满了电荷载体。然后改变电场导致障碍成为无效。 The current can then flow through the film unhindered. The pits are “shallow”, which allows the charge carriers to come out easily: If no voltage is applied for over two minutes they “climb” out of the pits on their own and the memory “forgets” its programming and returns to the OFF state. This is just what it should do as “dynamic” memory. “Erasing” the memory is accomplished by an opposing voltage pulse above +3.5 V. This immediately returns the memory to the original OFF state with empty traps. Renewed application of more than -2.8 V always returns the memory to its writeable state.
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