ACM Research，Inc。是用于高级半导体设备的晶圆清洁技术的主要供应商，今天宣布了全球第一个将长凳和单晶片清洁在集成系统中结合的工具的商业生产线准备。
用于光孔剥离和蚀刻后，植入后和CMP后清洁的超级C塔霍清洁系统可改善工艺性能，节省化学药品的成本，并显着减少硫酸废物的产生。
政府对半导体行业浪费的限制和全球对环境风险的认识正在推动对清洁系统的需求增加，这可以减少工艺化学物质的消耗而不会牺牲性能。特别是，硫酸的处置方法是次优的。尽管在美国这样的国家，垃圾填埋仍然是一种选择，但并不能完全消除环境污染的风险。在韩国，台湾和没有可用垃圾填埋场空间的地区，下一个选择是高温净化，但是这种方法会消耗大量能量，并有助于额外的温室气体排放。
“硫酸废物处理是晚期IC制造中的主要挑战。例如，半导体植物占台湾使用的总硫酸的一半以上，”ACM Research首席执行官David Wang说。“仅替补板清洁就无法实现28 nm节点及以后的所需性能。虽然向单晶片清洁的转变改善了性能，但它大大增加了硫酸的消耗，现在需要危险的，能源密集型的处理方法，对环境有害。ACM Research开发了专有的Tahoe系统，以提供客户从单晶片清洁中期望的高清洁性能和过程灵活性，但具有一小部分化学消耗。我们认为这是一种成功的组合，它将通过环保的解决方案来维护其技术路线图，从而节省了处置成本上的巨额资金。”
Ultra C Tahoe清洁系统将两个模块组合到一个湿清洗系统中。硫酸 - 氧化混合物（SPM）清洁和快速垃圾冲洗（QDR）发生在台式模块中，在该模块中，SPM工艺化学物质被循环，因为在独立的台式系统中，与单一的硫酸废物相比，将硫酸废物降低至少80％。晶圆SPM清洁。在塔霍（Tahoe）清洁板凳后，将晶片转移到单晶片模块中，以便在仍湿的同时进行高级清洁。
单个晶圆室是柔性的，可以为每个客户提供标准清洁（SC1），氢氟酸（HF），臭氧水（DI-O3）或其他工艺化学品的配置。它最多可容纳四个手臂，每种手臂最多可容纳三种工艺化学物质。选项包括使用ACM Research的Smart Megasonix Arm的N2喷臂或大型清洁。该系统还提供可应用于图案化晶片的异丙醇（IPA）干燥功能。
Ultra C Tahoe清洁系统显示出低的交叉污染风险和出色的粒子驱动性能与最先进的单晶片系统相比，所有这些系统的消耗率都低得多。与传统的SPM基准工具相比，来自ACM研究客户的商业生产线的数据表明，综合的Tahoe系统可以在30 nm处将粒子计数从数百个晶片减少到每晶片的10个。与单个晶圆的高温SPM清洁剂相比，每天处理2,000晶片的Tahoe系统每天加工2,000晶片的消耗少于200升硫酸，每天节省超过1,600升的硫酸废物。
Ultra C Tahoe现在在包括台湾，韩国和美国在内的全球市场上可用。
来源：http://www.acmrcsh.com/