Leti是CEA Tech技术研究所，其研究合作伙伴已经证明了一种潜在可扩展的读数技术，可以足够快，以便足够的量子点大阵列中的高保真测量。
在2019年IEDM上发表的一篇论文中，国际研究团队报告了他们在SOI mosfet原型平台上开发工具包的工作，该平台能够快速读取电荷和自旋状态。研究探索了两种基于栅的反射读出系统，用于探测MOS分裂栅定义的量子点阵列线性排列中的电荷和自旋态。第一个系统给出了进入数组的电荷的确切数量，并可以帮助初始化它。它也可以读取自旋态，尽管是相对较小的阵列。第二种方法给出了任意量子点的自旋态，与阵列长度无关，但对跟踪电荷数没有帮助。两种读出方案可以在大阵列中互补使用。
研究的发现“对硅MOS自旋量子位元阵列的快速、高保真、单次读出具有重要意义，“纸质笔记。
”我们团队前进的短期努力将是一个联合优化，以提高读数的速度和可靠性，“Cea-Leti的路易林丁说，铅作着论文。”长期目标是将此技术转移到更大的规模和较少的传统架构，其具有用于纠错的优化拓扑。”
反射计是一种当入射射频波遇到阻抗不连续时，利用沿导线反射信号的技术。在CEA-Leti的研究中，探针线连接到一个Si量子点的MOS栅极。该系统的准备使负载阻抗取决于量子位的自旋状态，这使研究小组能够无损地监测单次自旋事件，几乎就在它们发生的时候。
除CEA-Leti外，研究团队还包括法国格勒诺布尔的CNRS研究所Néel和CEA-IRIG;丹麦哥本哈根大学尼尔斯波尔研究所;以及英国剑桥大学日立剑桥实验室和卡文迪许实验室。他们的论文题目是用于探测线性硅MOS分裂栅阵列电荷和自旋态的栅反射法“。
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