道康宁获得日本碳化硅屏障专利

道康宁公司该公司在日本获得了一项关键专利，涉及在世界上最先进的半导体器件中使用的电介质和金属层之间的碳化硅屏障膜。道康宁公司早在10年前就率先使用碳化硅屏障技术，并于1995年2月向美国专利商标局提交了原始发明申请。

碳化硅障壁技术在当今使用铜双大马士革导体和低k介电绝缘体的尖端器件的生产中至关重要。碳化硅阻挡层防止铜金属扩散到芯片互连结构中相邻的介质膜层中并污染它们。因此，芯片制造商可以继续制造比前几代更小、更快的设备。

道康宁器件制造材料业务全球营销经理Phil Dembowski表示:“碳化硅屏障层专利在日本的发布是一个非常重要的时刻，它正式认可道康宁在集成电路科学领域的创新和持续贡献。”欧洲杯足球竞彩欧洲杯线上买球“这项专利还提供了某种程度的保护，防止其他人在没有获得适当许可的情况下希望实践或推广这项技术。”

道康宁拥有悠久的创新历史，并拥有低k电介质、障壁膜和硅基光刻材料等多项重要专利，使先进的集成电路技术得以持续发展。欧洲杯足球竞彩道康宁将大量资源用于新材料和新技术的发现和开发。欧洲杯足球竞彩这是我们致力于推动集成电路制造的最先进技术的一部分。”Dembowski说。

日本的新专利，编号JP 3731932 B，名为“碳化硅金属扩散屏障层”。在美国，它的姊妹专利(U.S.#5818071)已经被正式引用了53次，以支持其他美国专利，这表明了该技术的重要性。

http://www.dowcorning.com/electronics