2006年4月20日
联电,宣布的一个新的SONOS记忆固态系统有限公司这个新内存采用先进SONOS介质存储技术,有效地提高程序速度相比传统SONOS的细胞和传统的NAND型闪存。联华电子在SONOS薄膜的经验发展允许其研发团队交付0.18存储单元在首次减少,其次是完成试点运行的256 mb OTP / MTP内存产品。这个内存提供了成本竞争力的制造业,更低的能耗和等效程序/擦除性能和可靠性。
副总裁乔Ko联华电子的专业技术部门,说,“联华电子一直致力于flash技术多年来几个客户的flash闪存产品,包括商品以及嵌入式flash / eepm。这一最新成功与固态系统公司产品的交付SONOS重申联电的坚实的技术基础和知识基础领域的flash技术。”
SONOS的技术近年来获得利益,因为它积极小细胞大小、低电压操作,和简单的可制造性比传统类型的诸如NAND flash技术。这些重要的功能允许SONOS用于许多应用高密度存储媒体。SONOS记忆细胞也可以轻松地集成到通用逻辑平台。
解决最困难的方面扩展传统SONOS技术——当通道长度较小,联电使用一种创新的方法在其项目目前与传统SONOS的热电子方法。这导致了较低的功耗,联电的SONOS的技术。
副总裁程Liou固态系统有限公司说,“联华电子在flash技术的经验对我们来说是一个关键因素在决定铸造的伴侣。通过利用我们的专利存储单元的组合技术和我们的设计团队,联电SONOS生产技术及其过程的开发团队,努力和决策两边已经证明卓有成效,证明了第一个通过硅的成功我们的第一个产品。在我们当前的生产线转移到批量生产,我们还与联电合作开发高容量SONOS记忆产品先进工艺技术。”
双方技术团队还将合作发展的一种新型SONOS记忆细胞和制造成本的降低。
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