2020年6月3
虽然二维半导体晶体管保持未来纳电子学的承诺,他们的应用程序被严重限制了大型的肖特基势垒接触电阻之间的熔敷金属电极和2 d半导体界面缩放的短沟道电子集成电路。
现在,为了满足的需求也是(国际半导体技术发展路线图)22纳米节点接触电阻,多相工程(如1 t / 2 h-mos2 1 t ' / 2 h-mote2),大大降低了接触电阻似乎是唯一的解决方案。因此,在过去的几年里,巨大的努力已经在2 d阶段工程实现低阻接触2 d高性能短沟道器件的半导体。
众所周知,这种金属半导体接触的接触特性tmd相边界是由他们的原子结构,如界面性质的债券和金属和半导体之间的相对取向阶段。为了优化二维半导体的界面接触特性,它是一个先决条件来理解他们的特点和结构之间的关系。
在新研究的一篇文章发表在《北京国家科学评论欧洲杯线上买球北京大学,科学家发现的接触特征1 t ' / 2 h-mote2相界面使用先进的扫描透射电子显微镜和电子能量损失谱(鳗鱼)。他们发现,相界面的接触特征取决于金属和半导体之间的倾斜角度阶段。相界面的大倾角,等离子体的鳗鱼明显转变较低的能量损失,虽然没有明显的相界面的能量变化与0°倾角(a - b)。他们的研究结果表明,0°倾斜相界面具有较强的原子债券和更好的接触性能。科学家们还瓦解的微妙影响1 t的阶段2 h阶段边界附近的两个单位细胞阶段。
“倾角作为旋钮调整接触属性,”科学家们说。“因此,未来angle-controlled合成技术可能最终使短沟道基于2 d晶体管异质结构在纳电子学实用。”
本研究收到来自中国国家重点研发项目的资金,中国国家自然科学基金,广东省的关键研发项目,深圳工业和信息化局,中国国家设备计划,Peking-Tsinghua-IOP协同创新中心的欧洲杯线上买球量子物质和中南大学粉末冶金国家重点实验室。2020欧洲杯下注官网
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金属/半导体MoTe2接口关联的电子结构的原子结构国家的Sci牧师2020;doi: 10.1093 / nsr / nwaa087https://doi.org/10.1093/nsr/nwaa087
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