昭和电科已开发出耐湿导热氮化铝填料，用作半导体器件的热辐射填料。SDK已经开始提供氮化铝填料的样品。
氮化铝填料
随着功率越来越大的半导体器件的发展，半导体器件中产生的热量不断增加。另一方面，半导体器件的小型化和高密度集成的进展使得从内部向外辐射热量变得更加困难。蓄热可能产生有害影响，包括效率、可靠性和安全性下降，不仅对半导体器件本身，而且对安装这些半导体器件的电子器件。因此，对于电子设备制造商来说，为了避免这些蓄热的有害影响，快速清除产生的热量是非常重要的。
氮化铝具有优异的性能，包括对电的高绝缘性、几乎与硅相同的热膨胀系数以及对生产半导体过程中使用的氯化气体的耐腐蚀性。氮化铝的导热系数也高于其他填料，如氧化铝和氮化硼。然而，如果水分粘附在氮化铝表面，氮化铝开始水解，并产生腐蚀性氨。这是氮化铝的弱点。然而，这一次，SDK成功地开发了一种用超薄薄膜处理氮化铝表面的技术，该技术可将湿气粘附在氮化铝表面时产生的腐蚀性氨的数量大幅降低到未经表面处理的氮化铝的万分之一。这种表面处理不会降低注入树脂的氮化铝填料的导热性。凭借这项创新的表面处理技术，SDK已成功开发出具有优异耐湿性和高导热性的氮化铝填料。通过提供样品，我们将为这种氮化铝填料开发一个新市场，并计划在2023年开始批量生产该填料。
昭和电科集团的愿景是将自己打造成一家“KOSEIHA公司”（KOSEIHA业务集团，能够长期保持高水平的盈利能力和稳定性）。通过提供最佳解决方案，SDK将响应半导体设备行业客户的需求，在新技术的发展下，包括5G移动通信技术和CASE（连接、自主/自动、共享和电子）预计将继续呈现快速增长汽车行业的相关技术。通过这种方式，我们的目标是建立一个新的KOSEIHA业务。
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