新的纳米方法可以帮助探测局部热过程

电子元件的小型化与其增加的整合密度相结合的热流量具有相当大的发热，这可能导致过热。但是，当常规解决方案如红外热成像不能低于微米（比纳米大1,000倍）时，如何测量这些纳米事件 -

通过使用称为旋转交叉（SCO）分子的化合物家族的双稳态性质，将来自两个CNR实验室，协调化学实验室和系统分析和结构的实验室汇集了科学家的研究团队，已经通过了一种称为旋转交叉（SCO）分子的化合物系列的双稳态性能。

它们存在于具有不同物理性质的两个电子状态中，并且可以在吸收或失去能量时从一个到另一个。例如，它们中的一些根据温度改变颜色。

一旦沉积在电子元件上的薄膜的形式中，SCO分子的光学性能根据温度而变化，使得该化学温度计能够建立微电子电路表面的纳米级热图。

然而，这些SCO分子薄膜的初级壮举实际上是它们独特的稳定性：即使在环境空气和高温下超过1000万热循环（高达230°C）的大于1000多万次热循环，分子的性质也保持不变。

这种创新*克服了SCO分子的主要障碍，即它们的疲劳性，或者它们的性质通常在从一个电子状态到另一个电子状态的多次转换后经常改变它们的事实。它很快就可以在微电子工业中使用，以探测局部热过程，从而改善未来设备的设计。

来源：http://www.cnrs.fr/