2020年7月29日
迷人的机会从一个新类的材料命名的二维(2 d)半导体、只有一个原子厚。欧洲杯足球竞彩二维材欧洲杯足球竞彩料准备有一个光明的未来在电子和光电行业,以及物联网设备。
任何手机,电脑,电子器件,甚至太阳能电池都是由相同的基本电子积木,二极管。不幸的是,一个主要障碍为二维材料在工业上的广泛应用是可伸缩的尚未解决的挑战和健壮的奈米制造的核心元素的一个二极管,它是一个“p欧洲杯足球竞彩n结”。
Elisa Riedo教授,纽约大学(NYU)经脉工程学院领导的一个国际研究小组调查人员演示了一个新颖的方法基于热扫描探针光刻(t-SPL)来制造最先进的“pn结”的单原子层二硫化molybdeunum(监理)过渡金属dichalcogenide。工作,“空间缺陷双相电导率的二硫化钼纳米工程”发表在自然通讯。
产生“pn结”,有必要对涂料半导体以这样一种方式,它的一部分是n型(掺杂过多的电子),另一部分是p型(掺杂过量带正电荷的“空穴”)。
列多和Davood Shahrjerdy,纽约大学电气和计算机工程教授经脉,表明通过结合t-SPL与缺陷有可能获得纳米双相情感掺杂的二硫化钼纳米工程,产生n型和p型导电,这很容易扩展到其他二维半导体。
作为研究的一部分,研究小组综合t-SPL——使用探针加热超过200摄氏度——以流通型活性气体细胞达到独特的纳米级控制当地的热激活单层二硫化钼的缺陷。
缺陷模式能增加或p - n型电导率随需应变,根据局部加热过程中使用的气体。掺杂和缺陷形成机制是在分子水平上阐明通过x射线光电子能谱、透射电子显微镜和密度泛函理论。
国际团队包括纽约城市大学的研究人员(城市大学)、米兰理工大学、伊利诺伊大学香槟分校的宾夕法尼亚大学和意大利的国家研究委员会(CNR)。
“在我们先前的研究表明,t-SPL优于电子束光刻和其他标准的方法来制造金属电极二硫化钼、提前也可以降低制造成本,因为t-SPL不需要标记或真空,”列多说。
这个连续成功在2 d双掺杂半导体,t-SPL现在能够提供掺杂物模式和芯片制造、将迅速推进材料科学和芯片设计。欧洲杯线上买球
“很高兴看到t-SPL现在占用,使功能晶体管的制造设备从二维材料,包括控制掺杂水平”欧洲杯足球竞彩阿明•诺尔表示从IBM苏黎世t-SPL列多一起的先驱之一。
这项研究是由办公室的美国能源部的基本能源科学。欧洲杯线上买球
来源:https://engineering.nyu.edu/