2020年9月9日
半导体制造商更注重于二维材料,如过渡金属二硫属化物(TMDS),以下的发现,在KAUST,单晶TMD的纳米带的外延生长工艺的。欧洲杯足球竞彩
晶体管设计中的一个新兴趋势涉及节省空间的架构,即将组件堆叠在另一个之上。TMD对于这些系统具有潜力,因为它们很容易形成薄片,称为纳米带,具有电、光和磁活性。然而,典型的半导体工艺,如光刻,需要重新制定复杂的程序,以生产足够质量的TMD用于设备用途。
在与美国,比利时,台湾,文森特东研究员和他的同事在KAUST合作使用表面模板直接单晶成长发展可替代的方法来制造TMD。
研究人员阿雷伊·阿尔贾布(Areej Aljarb)在用高分辨率电子显微镜分析候选者时,发现了一种名为三氧化镓(Ga)的半导体的不同寻常之处2O.3.)。使用胶带剥离片状材料的层之后,她看到窄的阵列,露台等 - 即加强凸缘或向下整个嘎2O.3.表面。
“这些步骤是非常陡峭和充分暴露,”Aljarb说。“因为靠近这些凸缘部附近的原子具有非对称结构,它们可以在特定的方向上推动增长”。
当球队暴露嘎2O.3.表面,以钼和硫的气体的混合,他们观察到TMD纳米带沿着与该被几乎无缺陷结构中的壁架结晶长度。显微镜实验和理论模型显示,窗台原子有一个能够使对齐成核,形成单晶纳米带独特的充满活力的特点。“几十年来,科学家们一直试图在绝缘体上生长二维单晶半导体,这项工作表明控制衬底的凸起是关键。”董建华说。
有趣的是,纳米带可以被拉下并转移到其他基底上,而不会损坏它们。为了探索壁架定向生长技术的潜在应用,国际组织联合起来设计了一种能够结合Ga纳米带的晶体管2O.3.模板。电子测量显示,新晶体管可在高速和通过类似劳动力密集型技术生产TMD材料有放大倍数操作。欧洲杯足球竞彩
“纳米带沿着壁架生长,利用微弱的物理相互作用保持原位,这意味着TMD和下面的Ga2O3基板之间没有化学键形成。”指出Aljarb。“这种独特的功能使我们能够在纳米带转移到国外基板对于许多应用,从晶体管,传感器,人工肌肉和原子级薄的光伏。”
资料来源:https://www.kaust.edu.sa/en