有机场效应晶体管分子水平模型的改进

场效应晶体管是传感器、电路或数据存储设备的关键元件。迄今为止,晶体管主要是基于无机半导体,如硅。

最近,有机材料出现了,其半导体特性使得有机场效欧洲杯足球竞彩应晶体管(OFETs)的制造成为可能。使用有机成分作为器件的活性层,具有易于加工和成本低的优点。

除了器件功能外,ofet还发展成为有机半导体基本表征的一个重要平台,因为它们现在已被确立为测量电荷载流子流动性的有用工具。因此,全面描述OFET器件性能成为进一步开发这些器件和设计更高效有机半导体的关键一步。

这些研究的核心是器件模型,它提供了测量电流密度和有机材料半导体特性之间的关系。欧洲杯足球竞彩不用说,这些OFET设备模型必须是准确和可靠的。

在北京出版的概述国家科学评论欧洲杯线上买球美国亚利桑那大学的科学家们讨论了OFET设备模型的最新进展,该模型包含了分子水平的参数。他们特别强调了基于蒙特卡罗的动力学器件模拟方法的发展,以及它们在微米大小的ofet建模中的成功应用。他们还概述了进一步改进ofet分子水平模型所需的路径。

“尽管有机半导体和无机半导体的电荷传输机制存在重大差异,但直到最近,流行的OFET设备模型都是直接借鉴那些最初基于无机材料开发的fet设备模型。”欧洲杯足球竞彩,这些科学家在题为“有机电场效应晶体管的分子水平模型”。

他们强调:“最理想的情况是,OFET器件模型应该包括离散分子水平、无序、各向异性、陷阱、晶界、复杂薄膜形貌和接触电阻等因素。只要有机半导体薄膜被视为连续介质,这些因素就很难包括在内。换句话说,纳米级、分子级的细节需要被整合到OFET设备模型中。”

近年来,基于蒙特卡罗的动力学方法已经有了很大的发展,现在可以实现具有分子分辨率的OFETs的高效建模。这些新模型为深入理解OFET器件物理学开辟了道路,并提供了直接将微观过程与宏观器件性能连接起来的能力。它们已经成功地应用于描述ofet的基本方面,如有效通道的实际厚度和介质表面形貌的影响,以及最近遇到的非线性电流特性问题。

亚利桑那大学的科学家预测:“通过这种持续的发展,分子水平的OFET器件模型将成为OFET器件研究中越来越有用的平台,并作为常规数据分析的补充工具”。

这项工作得到了亚利桑那大学和佐治亚理工学院的支持。

来源:http://www.scichina.com/

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