电阻转换存储器设备提供了优于目前使用的计算机内存技术。从初期的原子层沉积实验室的研究人员与来自韩国的同事研究电极表面形态的影响电阻转换存储器单元的属性。
结果表明厚电极有更大的表面粗糙度和与存储单元特征有显著的提高。研究发现发表在ACS应用材料&接口欧洲杯足球竞彩。
一些材料,欧洲杯足球竞彩如过渡金属氧化物,可以切换从一个介质和导电状态下应用电压。这种效应是电阻随机存取存储器,非常有前途的非易失性存储技术。
RRAM设备基于过渡金属氧化物具有能耗低,伟大的耐力,易于扩展,和快速操作,促使许多公司在这项技术上的投资。
电阻存储单元是一个分层结构与两个电极之间的绝缘层的位置,开关电压。细胞的性质取决于材料在电极之间,以及电极本身的组成和形状。是常见的一个电极,铂的氮化钛和其他。
然而,铂是现代半导体技术由于不符合干蚀刻能力的缺失。与钌情况并非如此,还有一个更大的优点是适用于原子层沉积(ALD),使制造3 d垂直内存结构。
研究合著者初期博士生Aleksandra Koroleva大学学院的电子、光子和分子物理学评论道:“调查电极厚度如何影响记忆细胞参数,我们增长了钌电极不同的原子层沉积的循环次数。然后我们检查电极的表面使用原子力显微镜。”研究小组发现,随着退化层数量的增加,电极表面的晶粒尺寸增加从5到70纳米。
研究人员测试了性能与不同厚度的钌电影作为氧化物RRAM钽电极底部,表明厚——因此粗糙电极实际上提高了存储设备的关键性能特征:它的稳定性和耐力。钌膜厚度增加导致较低的存储单元电阻之间在这两个州和更高的电阻比低收入和高阻状态。
提高电极粗糙度也减少了形成和转换电压,和增加设备的耐力来一个令人印象深刻的5000万开关周期。
解释他们的发现,团队提出了一个简化的模型,该模型反映了钌电极的电场分布在大颗粒表面。解释与导电原子力显微镜证实。
”我们的研究结果提供深入了解新类型的记忆细胞可以大大提高。厚钌电影作为电极粗糙表面。这反过来导致局部领域增强电场的谷物斜坡上的提升设备的关键性能特征。我们相信,我们的调查将有助于创造更多的高效、可靠的存储设备在未来,“增加了研究的合著者安德烈Markeev,肾上腺白质退化症患者组的初期。
研究报告在这个故事中得到了俄罗斯科学基金会和俄罗斯科学和高等教育。欧洲杯线上买球
