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Picosun的PicoArmour TM降低了半导体制造成本

芬兰ESPOO, 2021年6月2日消息——Picosun集团拥有一项针对等离子蚀蚀的ALD防腐解决方案的未决专利,该解决方案将在产量、薄膜均匀性和一致性方面给半导体制造工艺带来好处。与目前常用的工业解决方案相比,PicoArmour TM的防腐效果更好。

图片来源:Picosun

晶圆制造工艺流程包括几个需要等离子蚀刻的步骤。使用蚀刻化学品的一个不可避免的后果是工具本身也会被蚀刻。减少工具损坏的常见工业解决方案是在蚀刻工具上涂上耐腐蚀涂层,例如使用PVD或Y2O3喷涂涂层。与仅使用Y2O3相比,PicoArmour TM能够以高达5倍的速度和更经济的方式生产涂层。与Al2O3相比,涂层的耐用性可提高5倍。*此外,蚀刻工具的维护间隔也可以增加,这也意味着制造成本的显著降低。

Picosun公司与PicoArmour TM的合作方式是将高耐腐蚀的Y2O3 ALD工艺与更坚固的ALD工艺相结合。通过仔细控制膜的成分,可以实现高性能ALD防腐屏障,将Al2O3工艺的速度和方便性与Y2O3的耐久性相结合。使用ALD,可以通过更薄的薄膜实现保护效果,从而节约材料和更环保的过程。”

为了了解更多关于PicoArmour TM和Picosun已经完成的一项有关保护涂层免受等离子体损伤的研究,请参加Picosun于美国东部时间6月29日上午10点25分在虚拟ALD 2021年会议上的演讲。注册在这里:https://ald2021.avs.org/register/

引用

请在你的文章、论文或报告中使用下列格式之一来引用这篇文章:

  • 美国心理学协会

    Picosun组。(2021年6月02)。Picosun的PicoArmour TM降低了半导体制造成本。AZoM。于2021年10月16日从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=56222检索。

  • MLA

    Picosun组。Picosun的PicoArmour TM降低了半导体制造成本。AZoM.2021年10月16日。< //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=56222 >。

  • 芝加哥

    Picosun组。Picosun的PicoArmour TM降低了半导体制造成本。AZoM。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=56222。(2021年10月16日生效)。

  • 哈佛大学

    Picosun组。2021。Picosun的PicoArmour TM降低了半导体制造成本.viewed september 16, //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=56222。

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