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Picosun的Picoarmour™降低了半导体制造成本

Picosun Group拥有针对血浆蚀刻的ALD腐蚀保护解决方案的未决专利权利,该解决方案将在吞吐量,薄膜均匀性和结构性方面为半导体制造过程带来好处。与picoarmourTM值与当今常用的行业解决方案相比,可以更有效地实现腐蚀保护。

图片来源:Picosun Group

晶圆制造过程流量包括几个步骤,需要等离子体蚀刻。使用蚀刻化学物质的必然结果是将工具本身蚀刻。减少工具损伤的常见工业解决方案是将耐腐蚀涂层应用于蚀刻工具,例如使用PVD或用Y进行喷涂涂层2o3。与仅使用y相比2o3,,picoarmourTM值启用最多五倍的速度和更具成本效益的生产涂层方式。与Al相比2o3,涂层的耐用性可能是五倍。

“ picosun与picoarmour的方法TM值是结合高度蚀刻的Y2o3ALD过程具有更强的ALD过程。高性能ALD腐蚀屏障结合了Al的速度和便利性2o3耐用性的过程2o3可以通过仔细控制膜组成来实现。使用ALD,可以通过更薄的薄膜来实现保护效果,从而导致物质节省和更环保的过程。”

要了解有关Picoarmour的更多信息TM值一项研究Picosun与防止血浆损坏有关的保护涂料与Picosun Talk在6月29日上午10:25在EDT的Virtual Ald 2021会议上加入Picosun Talk。在这里注册

*值取决于沉积和蚀刻参数

来源:https://www.picosun.com/

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    Picosun Group。(2021年6月3日)。Picosun的Picoarmour™降低了半导体制造成本。azom。于2022年7月7日从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=56232检索。

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    Picosun Group。“ Picosun的Picoarmour™降低了半导体制造成本”。azom。2022年7月7日。

  • 芝加哥

    Picosun Group。“ Picosun的Picoarmour™降低了半导体制造成本”。azom。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=56232。(2022年7月7日访问)。

  • 哈佛大学

    Picosun Group。2021。Picosun的Picoarmour™降低了半导体制造成本。Azom,2022年7月7日,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsid=56232。

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