在Bi5O7Br纳米片中引入OVs和Mo掺杂剂可以增强其对N2的固定活性

实现高效氮(N₂)还原为氨(NH_3.)几十年来一直是一个重大的挑战，因为惰性的N≡N键很难断裂，因为键能非常大，为940.95 kJ mol¹．

到目前为止，N₂对NH_3.是由能源密集型的Haber-Bosch工艺(673-873 K和15-25 MPa)垄断的，该工艺不可持续地使用天然气来制造氢气(H₂)的原料与巨大的能源消耗从化石燃料，导致大量的二氧化碳(CO₂)排放。在此背景下，光催化N₂减少氨氮被认为是一种可持续的替代方法_3.从N合成₂以及环境条件下的水。

然而，大多数传统的光催化剂的效率还远远不能令人满意，这主要是由于惰性N的硬键解离₂，这是由于N的弱结合₂并进一步将低效率的电子从光催化剂转移到N的反键轨道₂．为了提高氮的利用效率₂通过引入供电子中心作为催化活化位点来优化N₂催化剂的吸附性能和改善光激发电荷传输是一个很有前景的策略。

氧空位(OV)是氮表面缺陷中研究最广泛、最普遍的类型₂固定。一方面，OV的生成能量较低，易于生成;另一方面，OV能辅助光催化剂获得激发态N₂由于其在N₂捕获和激活。因此，具有足够OVs的半导体可能有利于提高其N₂固定的性能。过渡金属(TM)掺杂是提高氮的光活性的另一种被广泛研究的有效方法₂由于TM具有与惰性N结合(甚至功能化)的优势₂在低温下，由于它们的空的和被占据的d轨道，可以实现TM-N₂交互通过“acceptance-donation”电子。Mo作为神秘的Mo依赖固氮酶催化中心的关键元素，引起了人们的广泛关注₂固定。为此，富ovs和钼掺杂材料将成为氮掺杂的理想候选材料欧洲杯足球竞彩₂photofixation。此外，层状氧化溴化铋(BiOBr)材料因其合适的带隙和独特的层状结构而受到广泛关注。欧洲杯足球竞彩对于基于biobr的半导体，如Bi_3.O₄Br和Bi₅O₇结果表明，表面有足够局域电子的OV有利于惰性N的捕获和活化₂分子。

最近，中国福州大学徐怡君教授领导的研究小组报道了在铋中引入OVs和Mo掺杂剂的研究₅O₇Br纳米片能显著提高氮的光活性₂固定。改性后的光催化剂表现出优化了导带位置、增强了光吸收、改善了N₂吸附和载流子分离共同促进了N的升高₂固定感光。这一工作为N₂减少NH_3.在温和的条件下，突出了纳米biobr基光催化剂作为有效N₂固定系统。研究结果发表在催化学报(https://doi.org/10.1016/s1872 - 2067 (21) 63837 - 8)．

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