东芝发布高输出电流峰值光电耦合器在薄包驱动igbt / mosfet的大门

东芝电子设备和存储公司(“东芝”)介绍了两个光隔离器,“TLP5705H”和“TLP5702H,”住在一层薄薄的SO6L包,用作绝缘栅中小容量的igbt的驱动程序/ mosfet。从今天开始卷发货。

TLP5705H是东芝的第一个产品提供额定输出电流峰值5.0±一分之一薄包(SO6L)只有2.3毫米(max)高。结果,设备(如中小容量逆变器和伺服放大器,使用一个缓冲电路的电流放大现在可以直接从光电耦合器驱动igbt /场效应管,没有任何缓冲电路的需要。这将有助于减少部分和小型化。

TLP5702H峰值输出电流评级为±2.5。一个SO6L包,可以安装在土地的东芝的传统模式SDIP6包^[1]当前,促进容易更换东芝的产品^[2]。SO6L比SDIP6薄,组件布局董事会带来了更大的灵活性,并且允许它被安装在董事会或使用的新电路设计强加限制高度可用。

两个光电耦合器有最高工作温度125ºC (T)的评级_一个= -40 - 125ºC),使其更容易设计和维持温度的利润率。

东芝的阵容还包括TLP5702H (LF4)和TLP5705H (LF4),坐落在一个SO6L (LF4)包作为一个引线成形的选择。

注:

[1]包高度:4.25毫米(max)
[2]当前产品:TLP700H SDIP6包

应用程序

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• 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性

• 峰值输出电流额定值(@T高_一个= -40 - 125°C)
  IOP =±2.5 (TLP5702H)
  IOP =±5.0 (TLP5705H)
• 薄SO6L包
• 高工作温度等级:T_超载比(max) = 125°C

来源:https://www.global.toshiba/ww/top.html