青铜成形

最近的研究发布于杂志摩尔库尔斯研究人员研究石墨对不同类型铜的定性和生长水面图

学习方式 :形形形色色图层生长特征.Image Credit: ktsdesign/Shutterstock.com

图形电子设备

图形是开发新视电子设备有希望的材料,因为高弹道传输和载体移动性等特性可见光透明度超过97%研究证明化学蒸发沉降法是生长石墨用于光电应用的最有效方法

使用CVD的好处是产生高质量低结构缺陷密度石墨,这对工业和研究应用至关重要。欧洲杯足球竞彩此外,CVD技术还提供化学惰性及易渗透性多数气体,使其对拟用于反腐蚀涂层材料的石墨生长高度有效CVD基本局限性在于无法实现足够大面积非偏差图形增长

微光谱来自Gr/CuFUL数月后CVD图形生长过程轨迹绘制后背景减法以清晰度嵌套:从对应区域获取的微镜,精确描述激光振荡点比例条代表100微米。图像感知:Rafailov,P.M等

在当前研究中,CVD法用于种植各种Cu表面的石墨研究者的主要动机是寻找最合适的Cu表面,为光电设备获取无缺陷石墨

方法论

研究者用生电化Cufil种植基底其间电极演练 保有涂色Cufil为阳极 和Cu板为阴极此外,过程是在室温下使用单极电压并使用集中H₃PO语言₄解析电解法

下一步,批量控制动能系统异语分解过程为15分钟,然后将样本分解入去分解水最后,样本转至生长室,电极评价通过视觉检验和光学显微镜必须指出,在视觉和显微镜检验期间,样本与表面对比为未经处理的块状

图形使用低压CVD研究者使用LPCVD图态生长,因为它生成低图态核密度,催化面反应控制图态生长率过程CuFuil过程期间在agon/hy₄带H₂流进响应室再者,样本在氢/argon大气中冷却,生长样本在实验前保存在一个干净环境中

所得样本特征为拉曼光谱学、电子反射分片分片和X射线光电光谱学特征三次样本存储演练:新鲜6个月20个月研究者还分析电极对金属表面的影响

高山市a/EBSD定位图顶部带相应的EDX氧元素分布图底部)高山市b/和a/样本6个月内顶部面板对不完全低指数取向粒子用小字体表示底部面板:Cu粒子用破线标定清晰度强度红色匹配氧富集inset:定向色码。图像感想:Rafailov,P.M等

结果

时间进化Cu研究显示Sqone-Cufil在环境条件扩展存储后有不同颜色对比的区域色差对比表示不同的氧化度,其中黄色、青红色和红色分别表示空白铜、微氧化和重氧化检测结果还显示Cu-graphene固态连接非氧化Cu粒子

电子反射分解和散能X射线分析结果 新鲜样本和样本保存半年显示 多数粒子不完全取向并描述方向图显示,面向Cu粒子的支配性(011)最易受Cu₂图形化样本中的O编译值和主向粒子最小氧化值正因如此,Cu-graphene固态联结和strie

等量结果显示图层下有氧化层,范围从6-7纳米不等。必须指出,分片范围是根据先前发布的研究报告计算而成的

透视石粒使用液晶涂层显示电压Cufil上生长的石粒有较大粒子缺陷密度较低石墨粒子下值对通过它开发的光电设备高性能意义重大此外,大粒子的存在对石墨包裹金属的氧化作用下降意义重大。

四组垂直微摄影E7相加石墨顶部极态底部dark状态自旋转45度后实现)图片描述:电流Cufil粒子左转双对式和非处理式Cufil右转双对)比例条代表100m图像感想:拉斐洛夫、P.M等

结论

归根结底,研究者显示免缺陷石墨可生长到大库面上并使用本研究使用过程并计算出新兴Cu的厚度₂下方的石墨测试 并检验取向关联性 不同Cu粒子氧化未来研究必须估计生成优化结果所需的石墨层数

源码

拉斐洛夫 PM斯维什特洛夫 PK迈汉卓夫VB阿夫拉莫娃泰兹斯卡市Petrov M卡特兰切夫纳拉迪基安boyadjievS.I塞拉提市et al.图形图层不同类型铜面的生长和特征化2022 27 1789https://www.mdpi.com/1420-3049/27/6/1789

免责声明:此处表达的观点是作者以私人身份表达的观点,不一定代表AZOM.com LimitedT/AAAAZNetwork这个网站所有者与运营者的观点免责声明构成条件与条件使用网站