分支聚乙基半导体交叉点

论文最近发布 开放访问杂志欧洲杯足球竞彩ACS应用能源材料研究者研究多乙基聚合膜用法PEI修改提高传统高效分解太阳能电池性能

学习方式 :扩展光电设备中聚合选择点透视.Image Credit: ZinetroN/Shutterstock.com

后台

晶状硅(c-Si)太阳能电池的一个显著成绩是扩展载量选择接触的现有源基于硝化物、有机聚合物和金属氧化物的洞形电子层可消化硅面并消除不良作用,如Fermi级插头和金属半导体界面Schottky屏障常规技术则受高温和复杂沉积程序约束,包括生产过程使用毒气

此外,用药期间引入缺陷有助于卷积和寄生虫吸收膜以有机分子为基础的载量选择接触消除了研究者的兴趣,因为他们的化学和电气特征适应性强并降低生产成本。分支多电子化物(b-PEI)单电子对可适当反应改变电路特征,在半导体表面产生场效果和化学消能

关于研究

在这次研究中,团队调查b-PEI电子选择接触的好处,并提议更清楚地理解其功能内含底层传导机制及其对隔热器/半导体/金属交叉点的影响外加B-PEI应用C-Si电池测试配置为ETL,效率超过14%

水中50 wt%b-PEI解析法被选为电子选择接触使用乙醇溶剂生成PEI解法,重量百分比介于0.0001至0.1wt子串使用擦N型c-Si(100)带2+cm阻抗性PEI解析法在5000rpm上旋转一分钟,然后80摄氏度反射两分钟PEI电影生长于裸硅层和静态氢化非态硅层

旋转涂层后,用影子遮罩对铝电极进行热蒸发以产生相似传输长度法模式UV光电分光镜研究PEI层工作函数变化为了调查PEI电子选择性,创建了5个独立架构的硅太阳能电池比较时,还合成并研究除b-PEI层之外相同的参考设备

观察

结果表明,非被动采样和消毒采样都最小特抗试最小接触抗药性理想厚值分别为约1和0.4nm反之,非静态样本快速增长特殊接触抗药量超过1nm表示电子隧道为主要传导过程

PEI沉降后,少数载体消能式和裸C-Si样本寿命基本不变但在应用薄度半透明AL封顶后发现一阶强上升寿命随半透明层 Al提高,表示金属电极在提高表面消能方面起着关键作用

PEI封装样本UPS光谱显示接口di溶剂还影响UPS光谱对比乙醇,PEI乙醇解法导致WF值外加0.15eV移位XPS测量显示双单碳氧联结,这些联结与乙醇丢失质子时生成alde

wF变换后 XPS所见值带移位也暗示电子积聚增强MDS交叉路口电路传输层性能此外,PEI修改式阴极使用无嵌式验证太阳电池

直接接触铝/硅的太阳能电池效率相当低,填充因子极低,开路电压极低Voc高短路流密度sc类)引入薄固有单片为聚合物和硅间层将FF提高2%并保留原样Voc并sc类值.在这种情况下,优异a-Si:H消能可增强界面电子积聚,进一步提高接触质量整体无孔化选用硅电池显示转换效率达14.2%

结论

概括地说,研究人员使用b-PEI选择C-Si半导体/金属/内核交界推理说,对PEI的修改导致从 Al接触线向硅基转移大量电荷同时,电子积聚偏向电流传输并减少特定接触阻抗

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源码

罗斯Eet al.扩展光电设备多效选择透视欧洲杯足球竞彩ACS应用能源材料2022年https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaem.2c01422

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