牛津仪器最近宣布启动的碳化硅衬底非接触式等离子体抛光解决方案。这项技术的目的是取代现有的化学物质平面化CMP过程,用一块干净、干燥、低成本、高产量和可持续的选择。项目已经与Clas-Sic合作向前迈进了一大步,排位赛整个晶片1200 v MOSFET设备,进一步提振信心在新的解决方案及其影响碳化硅电力半导体器件。
图片来源:牛津仪器等离子体技术
“1200 v MOSFET参数和产量结果非常令人鼓舞,非常类似的传统CMP准备晶片作为直接比较。我们依靠多个供应商为基质由于供应限制,所以来料变化是整个设备制造行业的一个挑战。基质的来源,处理在牛津仪器,纳入我们的生产流程等两个单独的设备类型,取得了类似的结果,应该使牛津仪器有信心相信他们的过程窗口是健壮和适合的目的。第一次结果这是一个非常积极的结果,给信心,牛津仪器的新技术有一个美好的未来在减少的成本非常昂贵的碳化硅基板。这将是非常重要的在减少成本的碳化硅功率转换器和增加他们在市场上采用“大卫·克拉克评论技术&客户关系经理,Clas-SiC。
碳化硅基板目前的需求超过了供给,生产的宽禁带半导体基板也供不应求。这个差距将成倍增加,生产高速发展电动汽车和可持续的能源市场将越来越多的这些化合物半导体为他们的应用程序,因此需要新的解决方案。等离子体抛光是一个即插即用CMP的替代品,每个晶片立刻降低了成本,降低了运营成本,但也是一个关键使能技术加速过渡到薄切片和每个议会在150毫米和200毫米晶圆。和其他创新的SiC技术,有可能转变生产模式,在SiC供应链可以轻松支持高增长技术市场以可持续的方式。
牛津仪器将分享整片MOSFET在ICSCRM性能数据,在瑞士达沃斯2022年9月11日- 16日。也将有机会亲自说波兰事件讨论实现等离子体的高容量生产晶圆厂。注册参加这个链接:https://icscrm2022.org/registration和预先安排一个面对面的会议,联系(电子邮件保护)(战略副总裁生产市场,牛津仪器等离子技术)。
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