三维集成电路的一个重要方面是提高电子产品的效率来满足消费者的高要求。他们不断被开发;然而,很难翻译理论的发现转化成实际的设备。由来自日本的一个研究小组开发的一种新的设计可以使这些理论成为现实。
图片来源:工业科学研究所,东京大学。欧洲杯线上买球
调查人员东京大学工业研究所的科学欧洲杯线上买球报道沉积过程nanosheet氧化物半导体的研究最近提交的2023年VLSI研讨会。这种技术产生氧化物半导体晶体管具有良好的载流子迁移率和可靠性。
三维集成电路是由许多层,每个有助于整体功能。因为它们可以在相对较低的温度下产生而具有高载流子迁移率、最小电荷泄漏,并且能够承受高电压,氧化物半导体也很流行许多电路元件的材料。欧洲杯足球竞彩
也有优势,采用金属氧化物而不是在电极的操作可能会暴露于氧气,成为在集成过程中氧化。
然而,开发所需的过程成功存款很薄层氧化物半导体材料的生产设备是困难的和尚未完全建立。欧洲杯足球竞彩研究人员最近发表了一篇论文在一个原子层沉积(ALD)收益率层适合大规模集成的技术。
使用我们的过程中,我们进行了系统的研究的场效应晶体管(fet)建立其局限性和优化它们的属性。
Kaito Hikake,研究报告的主要作者,工业科学研究所,东京大学欧洲杯线上买球
半导体场效应晶体管调节电流的流动。”我们调谐组件和调整后的比例制备条件和我们的发现导致了发展multi-gate nanosheet场效应晶体管关操作和高可靠性”Kaito Hikake笔记。
结果表明,从选定的氧化物半导体场效应晶体管制造通过退化表现最好的。的multi-gate nanosheet场效应晶体管被认为是第一个集成高载流子迁移率、可靠性和关操作。
在快速移动的电子产品等领域,是非常重要的概念验证结果转化为工业相关流程。我们相信,我们的研究提供了一个健壮的技术,可用于生产设备,满足市场的需要可制造的三维集成电路具有高功能。
Masaharu小林,研究高级作者,工业科学研究所,东京大学欧洲杯线上买球
这项研究的结果提供了一个解决方案的一个主要挑战是从汤姆斯制造的电子设备。希望,这将导致更多的高功能电子产品成为实际产品的设计。
来源:https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/en