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东芝发布100 v n沟道功率MOSFET,支持电源电路的小型化gydF4y2Ba

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2023年6月29日gydF4y2Ba看过的gydF4y2BaSkyla贝利gydF4y2Ba

东芝电子设备和存储公司(“东芝”)推出了“TPH3R10AQM,”一个100 v n沟道功率MOSFET最新一代用东芝的制作过程,U-MOS x h。产品目标应用程序切换电路和热插拔电路等工业设备的电线用于数据中心和通信基站。2020欧洲杯下注官网从今天开始运输。gydF4y2Ba

TPH3R10AQM行业领先3.1 mΩ最大的漏源极导通电阻,低16%比东芝的100 v的产品,“TPH3R70APL”,它使用前面的生成过程。同样的比较,TPH3R10AQM已扩大了76%的安全操作区域使其适合线性模式操作。降低导通电阻的线性工作范围,扩大安全操作区域减少并行连接的数量。此外,它的门阈值电压范围2.5 v至3.5 v,使得它不太可能由于栅电压噪声故障。gydF4y2Ba
新产品使用高度足迹兼容SOP推进(N)包。gydF4y2Ba

东芝将继续扩大其产品线的权力场效电晶体可以通过减少损失,提高电源的效率和降低设备功耗。2020欧洲杯下注官网gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

数据中心电源等通信设备和通信基站2020欧洲杯下注官网gydF4y2Ba
开关电源(高效直流-直流转换器,等等)。gydF4y2Ba

特性gydF4y2Ba

以行业领先的gydF4y2Ba优秀的低导通电阻:RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}= 3.1 mΩ(max) (VgydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba= 10 v)gydF4y2Ba
广泛的安全操作区域gydF4y2Ba
高通道温度额定值:TgydF4y2Ba_chgydF4y2Ba(max) = 175°CgydF4y2Ba

主要规格gydF4y2Ba
(除非另有规定,TgydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}= 25°C)gydF4y2Ba
零件号gydF4y2Ba			TPH3R10AQMgydF4y2Ba
绝对最大额定参数gydF4y2Ba	漏源极电压VgydF4y2Ba_DSSgydF4y2Ba(V)gydF4y2Ba		One hundred.gydF4y2Ba
	漏极电流(直流)我gydF4y2Ba_DgydF4y2Ba(一)gydF4y2Ba	TgydF4y2Ba_cgydF4y2Ba= 25°CgydF4y2Ba	120年gydF4y2Ba
	通道温度gydF4y2Ba_chgydF4y2Ba(°C)gydF4y2Ba		175年gydF4y2Ba
电特性gydF4y2Ba	漏源极导通电阻RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba} 马克斯(mΩ)gydF4y2Ba	VgydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba= 10 vgydF4y2Ba	3.1gydF4y2Ba
		VgydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba= 6 vgydF4y2Ba	6.0gydF4y2Ba
	总闸极电荷(gate-source加上gate-drain) QgydF4y2Ba_ggydF4y2Batyp。(nC)gydF4y2Ba		83年gydF4y2Ba
	门开关电荷问gydF4y2Ba_{西南gydF4y2Ba}typ。(nC)gydF4y2Ba		32gydF4y2Ba
	输出电荷问gydF4y2Ba_ossgydF4y2Batyp。(nC)gydF4y2Ba		88年gydF4y2Ba
	输入电容CgydF4y2Ba_{国际空间站gydF4y2Ba}typ。(pF)gydF4y2Ba		5180年gydF4y2Ba
包gydF4y2Ba	的名字gydF4y2Ba		SOP推进(N)gydF4y2Ba
	typ大小。(毫米)gydF4y2Ba		4.9×6.1gydF4y2Ba
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