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高性能现场效果晶体管(FET)是下一半导体技术的基本构件,非硅基当设备缩小过子3Nm尺度时,FET当前三维硅技术性能下降
近十年来,研究人员调查最优FET平台单原子厚度2维2D过渡金属二二维化物但由于无法显示分片缩放,其实用使用受限
残留物制造期间开发 是一个重大问题聚甲基甲状腺素(PMA)通常用作传输设备控件支持微值TMD表层保留隔热残留物的名声使得微值TMD表层在转移时经常机械损坏
推荐替代PMA的其他聚合物包括多二甲基硅烷(PDMS)、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸但在转移期间,残留物和机械损坏不可推卸地引进,损害FETs性能。
通过有效使用聚丙烯碳酸盐免残留湿转移,IBS研究人员得以解决这一问题并实现意外突破PPC允许清除残留物,并使用化学蒸发沉降法创建波段级TPD
strinkles在转移过程开发时经常出现在早先制造大规模TMD的尝试中。遗留物和纹理均被PPC和TMD适量绑定消除
PPC传输法使我们能编译千米级TMD此前TMD仅限于使用印花法制作,该法生成的片片尺寸只有30-40微米
欧洲杯线上买球AshokMondal基础科学学院研究优先作者
研究人员使用半金属双接触电极与单层MOS2应用PPC技术构造FET设备上摩西2层中检测到的PPC残留量不足0.08%
设备被发现有ohmic接触抗药性RC~78-m,该抗药性接近量限值,原因是没有跨子残留物使用h-BN基调还有可能产生高流1.4m/m和超高流交换率
发现量级TMD合成传输创新FET设备电气特征被发现比先前报告值高得多目前的集成电路制造技术被认为简单应用这一技术
期望我们在免残留PPC传输技术上的成功将鼓励其他研究人员今后对各种TPD设备进行进一步改进
博士欧洲杯线上买球Chandan Biswas基础科学学院研究协同作者
JournalReference:
MondalAet al.低Omic接触阻抗力和高开关比率过渡性金属二二二维效晶体管欧洲杯足球竞彩高级素材.doi:10.1038/s41565-023-01497-x
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