超硅技术需要超高性能现场效果晶体管过渡式金属二叉化物提供理想材料平台,但设备性能如接触抗药性、开关比和运动性常受转移程序造成的跨子残留物的存在限制。显示理想免残留碳酸聚丙酯转移法,单层MOS2残留可忽略不计将二维米特半金属接触原子净单层MOS2-FET超净化编译方法可成为高性能电机使用大片半导电机的理想平台
技术革命即将到来 并准备改变我们使用的设备欧洲杯线上买球南韩基础科学学院综合纳米物理中心高超研究团队LEE Younghee教授杰出领导下,揭开新发现,可大大改善现场效果晶体管编译
高性能现场效果晶体管(FET)是下一代非硅半导体技术基本构件当前三维硅技术受FET性能退化影响,设备缩微化前子三米尺度研究者在过去十年中研究单原子厚二维二维转换金属二叉化物(TMDs),视之为理想FET平台但由于无法显示微博集成性,这些微博的实际应用有限
主要问题是生成期间产生的残留物多甲基甲状腺素(PMA)传统上用作设备传输支持控件物料因在TMD表面留下隔热残留物而臭名昭著,这些残留物常常在传输期间对脆弱TMD表产生机械性损害。替代PMA的其他数种聚合物,如聚二甲二醇、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚碳酸酯、乙烯乙酸酯、聚聚苯丙烯和有机分子,包括石蜡、纤维乙酸酯、环烷尽管如此,残留物和机械损害在转移期间不可避免引入,导致FET性能退化
IBS研究者解决了这个问题并成功利用聚丙烯碳酸酯(PPC)实现免残留湿转移,从而取得了引人入胜的突破。PPC使用不仅消除残留物,还允许使用化学蒸发沉降生成瓦波级TMD先前制造大规模TMD常产生皱纹,在转移过程期间发生PPC和TMD之间的弱绑定不仅消除残留物,还消除皱纹
师傅Ashok MONDAL研究第一作者表示PPC传输法使我们能编译千米级TMDTMD仅限于使用印花法制作,该法生成的片段尺寸只有30-40微米。”
研究人员用半金属双接触电极与单层MOS2并用PPC方法传输不到0.08%PPC残留物被发现留在MS2层多亏缺少分片残留物,该设备被发现有RC~78-m奥米接触抗药性,接近量值限值超高流开关比15K和高流上1.4m/m使用h-BN基调实现
这是世界首例显示cvd自创TMD瓦法级制作和转移最先进FET设备以这种方式生成,发现电特性远远超过先前报告值据信,使用现有综合电路制造技术很容易实现。
博士ChandanBISWAS, 联合响应研究写作者说期望我们在免残留PPC传输技术上的成功将鼓励其他研究者在未来对各种TPD设备进行进一步改进
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