2006年9月8日
飞索半导体公司,世界上最大的单一业务的提供者和闪存解决方案Saifun半导体有限公司,闪存的领先供应商的知识产权和技术,今天宣布,公司已经扩展他们的许可协议和产品设计。作为协议的一部分,Saifun将提供工程和设计支持发展的90 nm和65 nm MirrorBit®四产品基于飞索半导体的专利,专利包含Saifun MirrorBit技术的专利,专利NROM IP。
“结合Saifun世界级的IP和飞索半导体工程支持的创新,破坏性MirrorBit技术,我们计划交付新的闪存解决方案,为客户创造新的市场和业务机会,”伯特兰Cambou说,飞索半导体的总裁兼首席执行官。“飞索半导体®MirrorBit四技术有潜力大幅降低成本,减少尺寸和增加新的闪存的存储容量解决方案”。
一个飞索半导体MirrorBit四存储单元存储的两倍数量的信息相比,当前的浮栅闪存单元在生产Multi-Level-Cell(多层陶瓷)的体系结构。当前MirrorBit技术使用不导电的氮化存储介质提供基本成本和制造优势浮栅技术和包含Saifun NROM IP。飞索半导体拥有超过二千项专利和专利申请在闪存中,包括MirrorBit专利技术领域的设备,电路,过程和成分,使飞索半导体成功坡道MirrorBit产品量大的生产。根据其NROM Saifun拥有超过150项专利知识产权,这是帮助使four-bits-per-cell MirrorBit四产品的存储能力。
“我们非常自豪我们日益增长的伙伴关系与飞索半导体扩大MirrorBit产品线带来附加值的闪存解决方案市场,”埃坦波阿斯博士补充道,Saifun董事长兼首席执行官。“建设独特NROM IP和致力于创新带来了飞索半导体的成功与其two-bit-per-cell MirrorBit技术,我们相信新的MirrorBit四解决方案将从根本上新的闪存解决方案的基础从未想象。”