2006年9月19日
晶体生长研究所(IKZ)在柏林,莱布尼茨协会的一员,和BP太阳能最近签署了一份合作协议来开发一个玻璃上硅沉积的过程。它目的是薄晶体硅层会形成半导体层的制造的太阳能电池。
当前的高纯度硅原料供应短缺对光伏应用的刺激更大的兴趣转向创新的方法,可以显著降低消费的硅每瓦特的太阳能模块输出功率。今天的大多数目前的太阳能电池是由硅晶片锯从水晶生产通过铸锭或水晶块(Czochralski方法)。硅片厚度一般是0.20 - -0.25毫米,但需要0.40 - -0.45毫米的硅晶片,以适应切口损失(锯末)。当阳光是事件在硅太阳能电池,大部分的光子转换为电能发生在0.02毫米的圆片。因此,硅可以提供机械支持低成本底物(如玻璃),明显薄硅的电影可以减少原料的要求。
出现这种问题,当玻璃基体上沉积硅晶体颗粒通常非常小,即使在高温或激光re-crystallisation。的主要作用是高密度晶界,导致低效率的太阳能电池。
开发的两步过程将IKZ包括硅微晶成核regularly-distributed地点在玻璃表面,至少0.05毫米的距离,和这些“种子”的后续扩大晶体生长的金属解决方案。最终目标是一个连续multicrystalline层厚度在0.05毫米。带来相当大的节省硅时,两步沉积过程应该生产硅薄膜在玻璃适合制造高效、低成本的太阳能电池。
这3年项目将进行在IKZ BP太阳能的财政支持。“我们期待这个倡议IKZ和这是一个自然的补充自己的晶体硅技术的进步,Eric Daniels说,BP太阳能技术副总裁。”