2006年10月5日
电话(东京电子)今天宣布该公司最新的300毫米金属CVD(化学气相沉积)系统TriasTM LT Ti /锡。新系统使沉积的Ti(钛)和锡(氮化钛)电影在低温过程中制度。
基于行业证明了三叠系平台,三叠系LT Ti /锡满足要求增加低温处理所需的生产镍硅化物接触。系统包含一个增强的淋浴头设计,使晶片温度控制范围广泛的沉积温度。通过电话的小说处理技术和改进的淋浴头设计联系处理,三叠系LT达到改善屏障覆盖而使金属一步低接触电阻和减少结泄漏。此外,三叠系LT产生优秀的薄膜均匀性,改善了重复性和增强粒子性能。
“当我们转向45纳米联系人、电话提供的独特的低温处理技术的新金属CVD系统将使客户扩展为下一代设备处理应用程序的范围之外,“Kenji Washino说,总经理电话的单一晶片沉积业务单元。