2006年10月26日
中科院物理学家们提出了一个广义electron-counting模型作为指导原则在理解metal-induced表面重建的化合物半导体。今天的工作报告。启信。
在一个典型的半导体表面,原子层经常整理自己重建表面。砷化镓等化合物半导体奈米,一个简单的electron-counting (EC)模型已被证明是非常有助于识别各种形式的表面重建。建议以来,电子商务模型已成功地应用于许多均匀半导体系统。它还被广泛在决定调用的结构表面缺陷,如空缺,步骤,和岛屿中形成homoepitaxial增长。
金属半导体增长对许多重要的技术应用是必不可少的。在经济增长的早期阶段,吸附金属submonolayer经常导致更丰富的外观表面重建模式比对应的齐次方程。因为重建影响的许多重要性质等金属/半导体接触肖特基势垒高度,是至关重要的对于一个给定的系统理解的精确形式重建。最近,这样的重建也可以发挥重要作用在影响稀释磁性半导体的增长增长。迄今为止,metal-induced测定化合物半导体表面的重建主要依靠试错的方法,通常使用扫描隧道显微镜(STM)与结构特征或其他技术和广泛采用基于计算的结果作为输入在个案基础上。
理论分析的基础上,采用基于计算,与实验观察,张立信,中科院物理研究所的博士生(IOP),建立一个通用的指导原则,体现在广义电子计数(GEC),管理引起的复合半导体的表面重建不同金属吸附物。工作已经完成张的导师的指导下和En 'ge与物理学家内外IOP和合作。在通用电气模型,吸附物作为一个电子浴、捐赠或接受正确的数量与主机的电子表面选择特定的重建,遵循经典的electron-counting模型。通用电气模型的预测能力是各种金属吸附物了。
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