2006年11月9日
Picogiga国际Soitec集团的一个部门(泛欧交易所,巴黎)的领袖欧洲连字符项目,今天宣布优秀的原始材料表征结果周围的氮化镓(GaN)复合工程基质,这应该使一系列新的价格合理,高性能的射频(RF)应用程序。2005年开始的为期三年的项目,旨在开发和评估新的类型的基于硅和碳化硅复合基质材料。欧洲杯足球竞彩这些新基板的设计是为了提供有成本效益的解决方案用于无线通信的高级高功率设备系统,如雷达、卫星通信和基站。
连字符之间的桥梁的主要目标是低档次、低成本单晶硅和高性能、高成本的单晶碳化硅(SiC)目前使用的起始底物GaN-based射频设备。项目预计证明可伸缩的复合基质介电和热性能远高于硅,但成本明显低于半绝缘性原文如此。
第一年,项目相比,该行业的两个标准材料,氮化镓在散装散装硅和氮化镓SiC,氮化镓生长在两个最有前途的复合,工程基质:保利-硅结晶碳化硅(欧洲杯足球竞彩SopSiC);和SiC poly-crystalline SiC (SiCopSiC)。这些基质工程使用Soitec的智能削减(TM)技术,这是最好的被称为具有背后的关键技术——绝缘子(SOI)晶片。
结果表明,所有关键的性能因素(晶体质量、流动性、表面形态等)的氮化镓复合衬底材料上是平等的,甚至更好,比当前的行业标准的材料。欧洲杯足球竞彩这些基质比较被评估使用建立的两个最外延技术:金属有机化学汽相淀积(金属)和分子束外延(MBE)。
新的复合基质还演示了优越的结果的试验性生产产量和可重复性。根据初步结果,GaN HEMT的外延SopSiC复合基质比传统硅基板更可靠。作为氮化镓生长的衬底,SopSiC也显著的优点是便宜,更适合大量比散装SiC基质规模小于10 GHz频率。
“复合基板设计与智能切割技术为电力设备,提供高附加值将通过GaN晶体管的总体性能评估,”菲利普Bove说,Picogiga研发总监和连字符项目负责人。“直到现在,设计师GaN-based功率设备不得不选择极端的高性能/高成本的SiC起始底物和低档次低成本的硅。字符材料表征结果表明,复合材料像SopSiC提供一个可伸缩的、具有成本效益的衬底的解决方案,可以填补这一鸿沟非常高和非常低的性价比权衡。”欧洲杯足球竞彩
连字符项目开发和描述完整的技术链,从基质到甘HEMT设备。连字符的第二阶段项目正在进行,包括设备处理。项目合作伙伴包括:
- Picogiga(法国),III-V Soitec集团的部门
- 帕多瓦大学(意大利)信息工程系(一些)
- Alcatel-Thales III-V实验室(法国)
- 技术物理和材料科学研究所(MFA)(匈牙利)欧洲杯线上买球
- Norstel(瑞典),供应商HTCVD-grown高纯碳化硅晶片
- 电子技术研究所(专业)(波兰)
- IEMN研究组的法国国家研究机构,科学研究所
- 联合整体半导体(联电)Thales-EADS合资企业
工作部分由欧洲共同体,在创新社会技术(IST)第六框架计划项目。