2006年11月30日
箭头研究公司今天宣布,其控股子公司,Aonex技术,和合作伙伴,桑迪亚国家实验室,演示了氮化镓生长的结构对专有A-Sapph™基质。氮化镓及其合金(III-nitride材料)等设备的发光二极管(led)和高频功率放大器欧洲杯足球竞彩(PAs)。根据策略无限,III-nitride-based led市场4 b将超过2006美元,预计在五年内增长到10美元b。Aonex衬底的产品线,包括A-Sapph™,提供了一个途径来大幅减少III-nitride发光二极管的制造成本通过使生产大直径基质,简化制造更高效的垂直发光二极管,和增加过程均匀性和产量。
A-Sapph™基质是由一层薄的单晶蓝宝石(< 500海里),连着一个多晶氮化铝衬底的支持。由此产生的衬底的热膨胀系数(CTE)几乎相同的氮化镓却提供了一个行业标准蓝宝石生长表面(可在c -和r-plane蓝宝石方向)适用于金属和HVPE增长环境。不同于传统的蓝宝石基板,甘A-SapphTM和减少衬底之间的密切CTE-match鞠躬后增长III-nitride设备。这减少晶片弓可能导致更高的收益率后增长设备处理,特别是对于亚微米HEMT或其他设备结构特性。除了减少衬底的弓,A-Sapph™基质比散装蓝宝石也提供更高的导热系数,可显著改善增长一致性通过提高衬底温度均匀性。综上所述,这些改进的热特性能使氮化镓生产的比例更大的晶圆直径和相应的降低设备制造成本。Aonex也设计A-Sapph™基质,使垂直领导制造没有激光发射。
协作,桑迪亚国家实验室生长氮化镓A-SapphTM和蓝宝石参考使用金属基板。桑迪亚研究人员然后特征GaN使用x射线衍射(XRD)缺陷估计在桑迪亚技术发达。XRD分析表明氮化镓生长在A-SapphTM缺陷密度在60%的主要参考。持续努力Aonex优化增长A-SapphTM衬底表面的重点是实现氮化镓质量符合或超过传统氮化镓生长在蓝宝石基板。XRD也显示,氮化镓生长在A-SapphTM基质降低了残余应变相对于氮化镓生长在传统蓝宝石基板。这降低了残余应变的结果在衬底上,CTE-matched GaN增长,从而验证A-SapphTM基质有可能解决目前遇到的处理挑战传统与氮化镓生长在蓝宝石基板。桑迪亚也增长了430 nm InGaN multi-quantum(发光)结构基质。的InGaN发光种植在A-SapphTM和大部分蓝宝石参考表现出类似的光致发光强度表明III-nitride材料生长在A-SapphTM制造LED设备基板有足够的光电性能。欧洲杯足球竞彩正在努力制造功能性led A-SapphTM基质上额外的特征。
除了A-Sapph™, Aonex还提供了氮化镓™基质组成的薄层连着一个多晶的单晶氮化镓氮化铝晶片的支持。氮化镓™基板提供了一个低成本替代大部分氮化镓晶片设备如激光二极管(像)和led。