2003年10月30日
塔尖集团已从美国专利和商标局获得一项技术专利，该技术使氧化铝能够植入砷化镓和其他III-V组半导体晶圆中，以隔离集成电路激光器和光波导。
该专利的标题为“在半导体衬底中形成绝缘氧化铝”，被指定为美国专利号6635559，于2003年10月21日发布。该专利描述了一种工艺，该工艺可以在III-V化合物半导体晶圆结构的顶层选择性地形成氧化铝，以确保集成电路中器件之间的电气隔离。
该技术还可以应用于波导、无线音频通信设备、wi-fi设备、宽带和无线互联网和音频设备，以及潜在的光电和光子组件和系统。
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